[發明專利]多孔和無孔納米結構和應用

無效

• 申請號: 200980117271.2
• 申請日: 2009-05-13
• 公開（公告）號: CN102027384A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 韓利;A·L·安德拉迪;J·L·戴維斯
• 申請（專利權）人: 研究三角協會
• 主分類號: G01R27/08
• 分類號: G01R27/08
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 陳季壯

1.形成多孔納米纖維結構的方法，該方法包括：

供應含第一溶劑和第二溶劑的聚合物溶液到靜電紡絲元件上，其中第二溶劑具有比第一溶劑高的介電常數；和

由所述聚合物溶液靜電紡絲納米纖維，形成所述多孔納米纖維結構。

2.權利要求1的方法，進一步包括：

將納米材料物質包含在納米纖維內。

3.權利要求2的方法，進一步包括：

對于納米材料物質來說，包括發光納米顆粒。

4.權利要求2的方法，進一步包括，對于納米材料物質來說，包括催化納米顆粒。

4.權利要求1的方法，其中供應包括：

在聚合物溶液內為第二溶劑供應介電常數范圍大于50的電介質。

5.權利要求4的方法，其中供應包括：

在聚合物溶液內為第二溶劑供應介電常數范圍為50-189的電介質。

6.權利要求1的方法，其中供應包括：

在聚合物溶液內供應重量百分數大于1wt％的第二溶劑。

7.權利要求6的方法，其中供應包括：

在聚合物溶液內供應重量百分數范圍為1-20wt％的第二溶劑。

8.權利要求1的方法，其中供應包括：

供應甲苯、二甲基甲酰胺、氯仿、二氯甲烷、二甲基乙酰胺和丙酮中的至少一種作為第一溶劑；和

供應N-甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺、N-乙基乙酰胺、N-丙基丙酰胺、Form甲基丙烯酰胺、N-丁基乙酰胺和N-乙基甲酰胺中的至少一種作為第二溶劑。

9.權利要求8的方法，其中靜電紡絲包括：

生產與不具有孔隙度的直徑相當的納米纖維相比，表面積的增加大于100％的所述納米纖維。

10.權利要求8的方法，其中靜電紡絲包括：

生產與不具有孔隙度的直徑相當的納米纖維相比，表面積的增加大于200％的所述納米纖維。

11.形成多孔納米纖維結構的方法，該方法包括：

供應含第一組分和第二組分的聚合物熔體到靜電紡絲元件中；

由所述聚合物熔體靜電紡絲納米纖維，和

蝕刻第一和第二組分的至少一種，形成所述多孔納米纖維結構。

12.權利要求11的方法，進一步包括：

將納米材料物質包含到所述納米纖維中。

13.權利要求12的方法，進一步包括：

對于納米材料物質來說，包括發光納米顆粒。

14.權利要求12的方法，進一步包括：

對于納米材料物質來說，包括催化納米顆粒。

15.權利要求11的方法，其中供應包括：

對于聚合物熔體來說，供應如下物質中的至少一種：丙烯腈-丁二烯-苯乙烯，乙烯乙烯醇，氟聚合物，聚縮醛，聚丙烯腈，聚丙烯酸酯類，聚酰胺，聚酰胺-酰亞胺，聚芳基醚酮，聚丁二烯，聚丁烯，聚碳酸酯，聚酮，聚酯，聚醚醚酮，聚醚酰亞胺，聚醚砜，聚醚砜，聚乙烯，聚乙烯氯化物，聚酰亞胺，聚甲基戊烯，聚苯醚，聚苯硫醚，聚鄰苯二甲酰胺，聚丙烯，聚苯乙烯，聚氨酯，聚氯乙烯，和聚偏氯乙烯。

16.權利要求11的方法，其中靜電紡絲包括：

生產與不具有孔隙度的直徑相當的納米纖維相比，表面積的增加大于100％的所述納米纖維。

17.權利要求11的方法，其中靜電紡絲包括：

生產與不具有孔隙度的直徑相當的納米纖維相比，表面積的增加大于200％的所述納米纖維。

18.處理納米材料的方法，該方法包括：

將含多孔納米纖維或無孔納米纖維中至少一種的納米纖維墊嵌入到含納米材料的流體內；和

在納米纖維墊內捕獲納米材料。

19.權利要求18的方法，其中嵌入包括：

對于納米纖維墊來說，利用其中流體包括該材料的溶劑的材料。

20.權利要求18的方法，進一步包括：

煅燒納米纖維墊，使捕獲的納米材料成團。

21.權利要求18的方法，其中捕獲包括：

將納米材料擴散到納米纖維墊內。