[發明專利]用于傳播延遲和EMI控制的方法和裝置

有效

• 申請號: 200980116602.0
• 申請日: 2009-05-06
• 公開（公告）號: CN102067451A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發明（設計）人: 西村直哲
• 申請（專利權）人: 美國亞德諾半導體公司
• 主分類號: H03K19/094
• 分類號: H03K19/094
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金曉

1.一種電路，包括：

輸出開關，在第一終端處耦合到源電位，在其第二終端處耦合到所述電路的輸出終端，

驅動器電路，具有輸入終端和輸出終端，所述輸出終端耦合到所述輸出開關的控制輸入，以及

延遲控制器，具有與所述驅動器電路的輸入終端相耦合的第一終端，與所述輸出開關的控制輸入相耦合的第二終端和與所述源電位相耦合的第三終端，通過將所述輸出開關的控制輸入驅動到源電位，所述延遲控制器在所述第一終端響應預定的輸入信號。

2.如權利要求1中的電路，其中所述延遲控制器包括開關裝置，其近似同時地與所述輸出開關一起變為導通或停止導通。

3.如權利要求2中的電路，其中所述開關裝置和輸出開關是同種類型的裝置。

4.如權利要求2中的電路，其中所述開關裝置和輸出開關是晶體管。

5.如權利要求4中的電路，其中所述開關裝置和輸出開關具有近似相同的閾值電壓。

6.如權利要求2中的電路，其中所述延遲控制器進一步包括電阻裝置，其位于從所述輸出開關的控制輸入到源電位的電路通路上，降低電阻裝置的電阻縮短了用于驅動所述輸出開關的控制輸入到所述源電位的時間。

7.如權利要求6中的電路，其中所述輸出開關是場效應晶體管FET；所述開關裝置是具有相似跳變特性的FET，其柵極與所述輸出開關的柵極耦合，以及其源極耦合到所述源電位。

8.如權利要求7中的電路，其中所述電阻裝置是FET，其柵極耦合到所述延遲控制器的第一終端，其漏極耦合到所述延遲控制器的第二終端，其源極耦合到所述開關裝置的漏極。

9.如權利要求7中的電路，其中所述輸出開關和所述開關裝置是N型FET。

10.如權利要求7中的電路，其中所述輸出開關和所述開關裝置是P型FET。

11.如權利要求5中的電路，其中所述輸出開關是雙極型晶體管BJT；所述開關裝置是具有相似跳變特性的BJT，其基極耦合到所述輸出開關的基極，其發射極耦合到所述源電位。

12.如權利要求6中的電路，其中所述輸出開關是絕緣柵雙極型晶體管IGBT；所述開關裝置是具有相似跳變特性的IGBT，其基極耦合到所述輸出開關的基極，其發射極耦合到所述源電位。

13.如權利要求1中的電路，其中所述驅動電路包括一對互補FET。

14.一種電路，包括：

驅動器，接收輸入電壓并導通和關斷輸出開關；和

延遲控制器，耦合到所述驅動器和輸出開關，

其中所述延遲控制器包括耦合到所述輸出開關的開關裝置，所述開關裝置近似與所述輸出開關同時地開關，以在所述輸出開關處的輸入電壓的跳變和輸出電壓的跳變之間控制傳播延遲。

15.一種方法，包括：

接收輸入電壓；

產生控制電壓以控制提供輸出電壓的輸出開關；

通過調節所述控制電壓直到出現輸出電壓跳變，從而控制輸入電壓跳變和輸出電壓跳變之間的傳播延遲，

其中所述傳播延遲控制與所述輸出電壓的變化率無關。

16.如權利要求15中的方法，進一步包括：在所述輸出開關和固定電壓之間開啟電流通路以調節所述控制電壓。

17.如權利要求16中的方法，其中所述電流通路和輸出開關近似同時地開關。

18.如權利要求17中的方法，進一步包括：在所述電流通路上調節電阻裝置以降低傳播延遲。

19.如權利要求16中的方法，其中通過耦合到所述輸出開關的開關裝置開關電流通路。

20.如權利要求16中的方法，其中所述固定電壓是地。