[發(fā)明專利]有機場致發(fā)光元件用化合物及有機場致發(fā)光元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980116415.2 | 申請日: | 2009-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN102017220A | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 甲斐孝弘;古森正樹;山本敏浩 | 申請(專利權(quán))人: | 新日鐵化學(xué)株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;C07D487/04;C09K11/06 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038 | 代理人: | 賈成功 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 機場 發(fā)光 元件 化合物 | ||
1.一種有機場致發(fā)光元件用化合物,其由下述通式(1)表示,
其中,環(huán)a表示與2個鄰接環(huán)稠合的式(a1)或式(a2)表示的芳香環(huán)或雜環(huán),環(huán)a′表示與3個鄰接環(huán)稠合的式(a1)表示的芳香環(huán)或雜環(huán);環(huán)b表示與2個鄰接環(huán)稠合的式(b1)表示的雜環(huán);X表示CR或N;L表示具有稠環(huán)結(jié)構(gòu)的n+1價的芳香族雜環(huán)基;Ar1~Ar3獨立地表示烷基、芳烷基、取代或者未取代的芳香族烴基或芳香族雜環(huán)基,Ar2、Ar3不是含氮六元環(huán);R、R1~R7獨立地表示氫、烷基、芳烷基、烯基、炔基、氰基、二烷基氨基、二芳基氨基、二芳烷基氨基、氨基、硝基、酰基、烷氧基羰基、羧基、烷氧基、烷基磺酰基、鹵代烷基、羥基、酰胺基、取代或者未取代的芳香族烴基或芳香族雜環(huán)基,其中的二個鄰接的情況下,也可以相互鍵合而形成環(huán);n表示0~5的整數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的有機場致發(fā)光元件用化合物,其由下述通式(2)表示,
其中,環(huán)b、L、Ar1、R1~R4、及n具有與通式(1)的環(huán)b、L、Ar1、R1~R4、及n相同的含義。
3.如權(quán)利要求1所述的有機場致發(fā)光元件用化合物,其由下述通式(3)表示,
其中,L、Ar1、Ar3、R1~R4、及n具有與通式(1)的L、Ar1、Ar3、R1~R4、及n相同的含義。
4.如權(quán)利要求1~3的任一項所述的有機場致發(fā)光元件用化合物,其中,在通式(1)~(3)中,L為具有n+1價的碳數(shù)6~20的稠環(huán)結(jié)構(gòu)的芳香族雜環(huán)基。
5.一種有機場致發(fā)光元件,其特征在于,具有含有權(quán)利要求1~3的任一項所述的有機場致發(fā)光元件用化合物的有機層。
6.如權(quán)利要求5所述的有機場致發(fā)光元件,其中,含有有機場致發(fā)光元件用化合物的有機層為選自發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層、電子傳輸層、電子注入層及空穴阻擋元件層中的至少一層。
7.如權(quán)利要求5所述的有機場致發(fā)光元件,其中,含有有機場致發(fā)光元件用化合物的有機層為發(fā)光層,該發(fā)光層含有磷光發(fā)光性摻雜劑和該有機場致發(fā)光元件用化合物作為主體材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





