[發明專利]一種單晶太陽能電池的制造方法

有效

• 申請號: 200980116340.8
• 申請日: 2009-05-05
• 公開（公告）號: CN102067322A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發明（設計）人: H-J·克羅科辛斯基;K·邁爾
• 申請（專利權）人: 羅伯特.博世有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李少丹;李家麟

1.一種用于制造具有鈍化的背面和背面接觸結構的單晶太陽能電池的方法，包括以下步驟：

-在電池背面整面地施加鈍化介質層；

-局部地去除在匯流條和局部接觸部區域中的鈍化層；

-均勻地涂覆電池背面以形成非結構化的薄金屬層，該薄金屬層在去除了鈍化層的區域中接觸襯底材料表面；

-由導電漿料在匯流條和局部接觸部區域中生成厚層，以及

-在高于規定的共晶溫度的溫度下燒結所述厚層，并且在薄金屬層與襯底材料表面以及與厚層漿料的導電顆粒之間形成共晶的低歐姆連接。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鈍化層由氧化硅、氧化鋁、氮化硅、碳化硅、氧化硅-氮化硅層序列、非晶硅和氮化硅或者在其特性方面相似的材料構成。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，通過濺射或蒸鍍尤其是含鋁材料來形成薄層。

4.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，通過厚層絲網印刷或模版印刷法在正面生成印制導線和匯流條。

5.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，通過絲網印刷或模版印刷法在所述背面生成在匯流條和局部接觸部區域中的厚層。

6.根據權利要求4和5所述的方法，其特征在于，在共同的熱處理步驟中燒結所述厚層。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在高于580℃但低于660℃的溫度范圍內、優選在580℃和620℃之間進行燒結。

8.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述導電漿料含有銀。

9.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在高于鋁-硅共晶溫度577℃、但低于鋁熔化溫度660℃的溫度下燒結厚層。

10.根據上述權利要求中任一項或多項所述方法制造的太陽能電池。