[發明專利]高溫超導體-層配置體

有效

• 申請號: 200980116239.2
• 申請日: 2009-03-14
• 公開（公告）號: CN102017207A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: M·巴克爾;O·布倫卡爾;M·法爾特
• 申請（專利權）人: 全能智電力股份有限公司
• 主分類號: H01L39/24
• 分類號: H01L39/24
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 鄧毅

1.高溫超導體-層配置體，其包括至少一種載體材料和由氧化材料構成的織構化緩沖層，該緩沖層使得高溫超導體(HTSL)層的織構化生長成為可能，其特征在于，所述緩沖層含有至少一種形成均勻混合晶相的其它成分，該其它成分為(a)第一副族過渡金屬(包括氧化物形式)和/或為(b)金屬或金屬氧化物，該金屬或金屬氧化物在退火溫度≤1600攝氏度時與所述氧化緩沖材料至少形成部分熔體。

2.根據權利要求1的層配置體，其特征在于，所述過渡金屬為銅和/或銀。

3.根據權利要求1或2的層配置體，其特征在于，所述其它成分以基于所述緩沖層的總金屬含量計最高至40原子數％的含量存在。

4.根據權利要求3的層配置體，其特征在于，所述其它成分以基于所述緩沖層的總金屬含量計2-30原子數％的含量存在。

5.根據權利要求1-4任一項的層配置體，其特征在于，含有所述其它成分的緩沖層材料在≤1250攝氏度的退火溫度下至少形成部分熔體。

6.根據權利要求1-5任一項的層配置體，其特征在于，容納所述其它成分的緩沖層材料至少由選自如下組的材料構成：稀土金屬氧化物，主族金屬氧化物或過渡金屬氧化物，每種情況下包括它們的二元、三元或更多元的氧化物，鋯酸鹽，鋁酸鹽，鈦酸鹽，錳酸鹽，釕酸鹽。

7.根據權利要求6的層配置體，其特征在于，容納所述其它成分的緩沖層材料為二元或更多元的稀土金屬氧化物，在該稀土金屬氧化物中金屬組成部分部分地或僅僅為稀土金屬并且含有2種或更多種不同的稀土金屬。

8.根據權利要求7的層配置體，其特征在于，容納所述其它成分的緩沖層材料為通式為RE_2+xM_2+yO_z的稀土金屬氧化物，-2≤x，y≤2，其中RE為一種或多種稀土金屬，M為一種或多種二價、三價、四價或五價的金屬，包括稀土金屬。

9.根據權利要求8的層配置體，其特征在于，M為一種或多種選自如下組的金屬：稀土金屬、鉿、鋯。

10.根據權利要求8或9的層配置體，其特征在于，RE和/或M彼此獨立地部分被過渡金屬和/或主族金屬取代，或者M為過渡金屬或主族金屬或他們的組合。

11.根據權利要求1-10任一項的層配置體，其特征在于，所述含有其它成分的緩沖層的孔隙率≤25％。

12.根據權利要求1-11任一項的層配置體，其特征在于，所述含有其它成分的緩沖層具有≤1.8nm的RMS-粗糙度。

13.根據權利要求1-12任一項的層配置體，其特征在于，所述緩沖層具有多個層，并且所述含有其它成分的混合晶相緩沖層布置于載體材料上。

14.根據權利要求1-13任一項的層配置體，其特征在于，所述緩沖層具有多個層，并且所述含有其它成分的混合晶相緩沖層形成鄰接高溫超導體層的層。

15.根據權利要求1-14任一項的層配置體，其特征在于，布置于載體材料與HTSL-層之間的緩沖層僅僅具有這樣的層，所述層具有另一種形成均勻混合晶相的其它成分。

16.根據權利要求1-15任一項的層配置體，其特征在于，所述緩沖層僅僅以單層形式構成。

17.制造尤其是根據權利要求1-16任一項的高溫超導體層配置體的方法，其中在載體材料上施加織構化的緩沖層，其使得高溫超導體的織構化生長成為可能，其特征在于，將至少一種其它的形成均勻的混合晶相的成分引入到所述緩沖層材料中，該至少一種其它的成分(a)含有至少一種第一副族過渡金屬(包括氧化物形式)和/或該成分(b)為金屬或金屬氧化物，該金屬或金屬氧化物在退火溫度≤1600攝氏度時與所述緩沖層材料至少形成部分熔體。

18.根據權利要求17的方法，其特征在于，作為過渡金屬使用銅和/或銀。

19.根據權利要求17或18的方法，其特征在于，以基于所述緩沖層的總金屬含量計最高至40原子數％的含量添加所述至少一種其它成分。