[發(fā)明專利]可拉伸和可折疊的電子器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980116128.1 | 申請日: | 2009-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN102113089A | 公開(公告)日: | 2011-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J·A·羅杰斯;黃永剛;高興助;M·斯托伊克維奇;崔元默;宋吉舟;安鐘賢;金大亨 | 申請(專利權(quán))人: | 伊利諾伊大學(xué)評議會(huì) |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20 |
| 代理公司: | 北京北翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285 | 代理人: | 楊勇;鄭建暉 |
| 地址: | 美國伊*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 拉伸 可折疊 電子器件 | ||
1.一種制造可拉伸和可折疊的電子器件的方法,所述方法包括:
a.將具有第一楊氏模量的接收襯底涂覆以具有第二楊氏模量的隔離層,所述隔離層具有接收表面,其中所述第二楊氏模量小于所述第一楊氏模量;
b.在承載襯底上提供可印刷的電子器件;
c.將所述可印刷的電子器件從所述承載襯底轉(zhuǎn)移至所述隔離層接收表面;
其中所述隔離層將所述被轉(zhuǎn)移的電子器件的至少一部分與施加的應(yīng)變隔離開來。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述接收襯底包括從下組中選出的材料:聚合物、彈性體、陶瓷、金屬、玻璃、半導(dǎo)體、無機(jī)聚合物,以及有機(jī)聚合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述接收襯底包括從下組中選出的材料:織物、乙烯材料、膠乳、彈力纖維、皮革和紙張。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中與沒有所述應(yīng)變隔離層的器件相較,所述隔離層提供了至少20%或更大的應(yīng)變隔離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一楊氏模量與所述第二楊氏模量之比大于或等于10。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述可印刷電子器件包括電子器件的部件,其中所述部件包括多個(gè)互聯(lián)部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述互聯(lián)部的至少一部分具有彎曲的幾何結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述隔離層包括聚合物,且所述聚合物至少部分地滲透所述接收襯底。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中接收襯底包括纖維,其中所述纖維的至少一部分被埋在所述隔離層中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述接收襯底具有一表面構(gòu)造,以增加在所述隔離層和所述接收襯底之間的接觸面積。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中還包括將所述被轉(zhuǎn)移的電子器件的至少一部分封裝在一個(gè)封裝層內(nèi),其中所述封裝層具有的楊氏模量小于或等于所述第二楊氏模量。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中所述封裝層具有非均勻的楊氏模量。
13.一種可拉伸和可折疊的電子器件,包括:
a.接收襯底;
b.隔離層,其至少部分涂覆了所述接收襯底的一個(gè)表面,所述隔離層的楊氏模量小于或等于所述接收襯底的楊氏模量;以及
c.電子器件,其至少部分被所述隔離層承載;
其中當(dāng)所述器件被拉伸或折疊時(shí),與沒有所述隔離層的器件相比較,所述隔離層能夠提供至少20%或更大的應(yīng)變隔離。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件,其中所述電子器件包括結(jié)合至所述隔離層的結(jié)合區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件,其中所述電子器件包括聯(lián)接相鄰的結(jié)合區(qū)域的非結(jié)合區(qū)域,所述非結(jié)合區(qū)域包括彎曲的互聯(lián)部。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件,其中還包括封裝層,該封裝層至少部分地封裝所述電子器件,所述封裝層具有的楊氏模量小于或等于所述隔離層的楊氏模量。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件,其中所述封裝層具有非均勻的楊氏模量。
18.一種制造可拉伸和可折疊的電子器件的方法,所述方法包括:
a.提供一種多層器件,其包括襯底層、功能層以及一個(gè)或多個(gè)中性機(jī)械表面調(diào)整層,其中所述功能層被襯底層承載,同時(shí)所述多層中的至少一層具有空間非均勻特性,其中所述空間非均勻特性將中性機(jī)械表面定位在與功能層重合或鄰近的位置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法,其中還包括:
a.在所述空間非均勻?qū)由袭a(chǎn)生具有空間非均勻特性的圖樣,以在所述器件上提供一個(gè)或多個(gè)柔性和可折疊的區(qū)域,以及在所述器件上提供一個(gè)或多個(gè)剛性區(qū)域。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法,其中非均勻特性選自以下一項(xiàng)或幾項(xiàng):
a.楊氏模量;
b.沉積附加層;
c.層厚度;
d.凹陷特征;
e.在所述功能層中空間地圖樣化器件部件,或
f.在所述功能層中的電子部件的幾何結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于伊利諾伊大學(xué)評議會(huì),未經(jīng)伊利諾伊大學(xué)評議會(huì)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980116128.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





