[發明專利]磁記錄介質、制造磁記錄介質的方法和磁記錄/再現裝置

無效

• 申請號: 200980116115.4
• 申請日: 2009-03-03
• 公開（公告）號: CN102016988A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 福島正人
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G11B5/72
• 分類號: G11B5/72;G11B5/65;G11B5/85
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種磁記錄介質，其包括具有磁記錄圖形的磁性層和所述磁性層上的連續的保護性碳外涂層，所述磁記錄圖形包括構成磁記錄區域的凸起和構成用于分離所述磁記錄區域的邊界區域的凹陷，所述磁記錄介質的特征在于，所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述構成磁記錄區域的凸起上的部分的厚度大于所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述構成邊界區域的凹陷上的部分的厚度。

2.根據權利要求1的磁記錄介質，其中所述邊界區域具有改性的磁特性。

3.根據權利要求1或2的磁記錄介質，其中所述磁性層的所述構成磁記錄區域的凸起與所述磁性層的所述構成邊界區域的凹陷之間的高度差在0.1nm到9nm的范圍內。

4.根據權利要求1到3中任何一項的磁記錄介質，其中所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述凸起上的部分的上表面與所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述凹陷上的部分的上表面之間的高度差在1nm到10nm的范圍內。

5.根據權利要求1到4中任何一項的磁記錄介質，其中所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述凸起上的部分具有在1nm到5nm的范圍內的厚度。

6.根據權利要求1到5中任何一項的磁記錄介質，其中由所述磁性層中的所述凹陷構成的所述邊界區域由氧化物構成。

7.一種用于制造磁記錄介質的方法，包括以下步驟：

形成具有磁記錄圖形的磁性層，所述磁記錄圖形包括構成磁記錄區域的凸起和構成用于分離所述磁記錄區域的邊界區域的凹陷，以及

在所述磁性層上形成連續的保護性碳外涂層，

其特征在于，通過CVD方法以這樣的方式實施所述連續的碳外涂層的形成，所述方式使所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述構成磁記錄區域的凸起上的部分的厚度大于所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述構成邊界區域的凹陷上的部分的厚度。

8.根據權利要求7的用于制造磁記錄介質的方法，其中對連續的磁性層中的將被形成為所述邊界區域的區域進行離子銑削以形成包括所述構成磁記錄區域的凸起和所述構成邊界區域的凹陷的磁記錄圖形，然后，在所述磁性層上形成所述連續的保護性碳外涂層。

9.根據權利要求8的用于制造磁記錄介質的方法，其中，在通過離子銑削連續的磁性層中的所述區域而形成具有磁記錄圖形的所述磁性層的步驟之后但在形成所述保護性碳外涂層的步驟之前，通過將經離子銑削的邊界區域暴露到反應性等離子體或反應性離子或者通過在經離子銑削的邊界區域中進行離子注入來進行對所述邊界區域的磁特性改性的步驟，其中所述磁記錄圖形包括所述構成磁記錄區域的凸起和所述構成邊界區域的凹陷。

10.一種用于制造磁記錄介質的方法，該方法包括依次實施的下列步驟(a)到(f)：

(a)在非磁性基底的表面上形成連續的磁性層；

(b)在所述磁性層上形成用于形成磁記錄圖形的掩模層；

(c)對所述掩模層進行構圖；

(d)在所述掩模層保留在將被形成為磁記錄區域的區域上的同時，對所述磁性層中的將被形成為用于分離所述磁記錄區域的邊界區域的區域進行離子銑削，由此在所述磁性層中形成構成所述磁記錄區域的凸起和構成所述邊界區域的凹陷；

(e)去除所述掩模層；以及然后

(f)通過CVD方法以這樣的方式在所述磁性層上形成連續的保護性碳外涂層，所述方式使所述碳外涂層的位于磁性層的所述構成磁記錄區域的凸起上的部分的厚度大于所述碳外涂層的位于磁性層的所述構成邊界區域的凹陷上的部分的厚度。

11.根據權利要求10的用于制造磁記錄介質的方法，其還包括在所述離子銑削步驟(d)之后但在所述掩模層去除步驟(e)之前對磁性層的所述邊界區域的磁特性改性的步驟，其中將經離子銑削的邊界區域暴露到反應性等離子體或反應性離子，或者在經離子銑削的邊界區域中實施離子注入。