[發(fā)明專利]輻射發(fā)射半導(dǎo)體芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980115327.0
• 申請日: 2009-04-17
• 公開（公告）號: CN102017143A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 帕特里克·羅德;盧茨·赫佩爾;卡爾·英格爾;托尼·阿爾布雷希特
• 申請（專利權(quán)）人: 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責任公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放

1.一種輻射發(fā)射半導(dǎo)體芯片(1)，具有載體(5)、包括半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體主體(2)、第一接觸件(35)和第二接觸件(36)，其中，

-所述半導(dǎo)體層序列具有設(shè)置于第一半導(dǎo)體層(21)和第二半導(dǎo)體層(22)之間并用于發(fā)射輻射的有源區(qū)(20)；

-所述載體(5)具有面對著所述半導(dǎo)體主體(2)的主表面(51)；

-所述第一半導(dǎo)體層(21)設(shè)置于所述有源區(qū)(20)的面對著所述載體(5)的主表面(51)的一側(cè)上，并且通過所述第一接觸件(35)而被電接觸；

-所述第二半導(dǎo)體層(22)通過所述第二接觸件(36)而被電接觸；并且

-在所述第一接觸件(35)和所述第二接觸件(36)之間穿過所述載體(5)的電流路徑中設(shè)置有保護二極管(4)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述保護二極管(4)是形成于所述第一接觸件(35)和所述載體(5)之間的肖特基二極管。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述保護二極管(4)是利用金屬-半導(dǎo)體結(jié)形成的，所述主表面(51)形成了所述金屬-半導(dǎo)體結(jié)。

4.如權(quán)利要求1到3的任一項所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述半導(dǎo)體主體(2)與所述載體(5)是通過材料接合而接合起來的。

5.如權(quán)利要求1到4的任一項所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述第一接觸件(35)設(shè)置于所述載體(5)的所述主表面(51)上。

6.如前述權(quán)利要求的任一項所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述第一接觸件(35)和所述第二接觸件(36)設(shè)置于所述載體(5)的相對置的側(cè)面。

7.如前述權(quán)利要求的任一項所述的半導(dǎo)體芯片，其中，在所述半導(dǎo)體主體(2)和所述載體(5)之間設(shè)置有第一連接層(31)，所述第一半導(dǎo)體層(21)與所述第一連接層(31)電連接。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述第一連接層(31)具有注入層(310)和結(jié)層(311)，所述注入層與所述半導(dǎo)體主體(2)相鄰而所述結(jié)層(311)與所述載體(5)相鄰。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述保護二極管(4)是利用結(jié)層(311)形成的。

10.如前述權(quán)利要求的任一項所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述半導(dǎo)體主體(2)具有至少一個凹陷(25)，所述凹陷(25)延伸穿過有源區(qū)(20)并且被設(shè)置以用于對所述第二半導(dǎo)體層(22)的電接觸。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述第二半導(dǎo)體層(22)與所述第二連接層(32)電連接，所述第二連接層(32)延伸穿過所述凹陷(25)。

12.如引用權(quán)利要求7到9之一的權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述第二連接層(32)被部分地形成于所述第一連接層(31)和所述載體(5)之間。

13.如前述權(quán)利要求的任一項所述的半導(dǎo)體芯片，其中，在所述半導(dǎo)體芯片(1)的俯視圖中，所述保護二極管(4)與所述第一接觸件(35)相重疊。

14.如前述權(quán)利要求的任一項所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述載體(5)包含半導(dǎo)體材料。

15.如前述權(quán)利要求的任一項所述的半導(dǎo)體芯片，其中，去除了用于所述半導(dǎo)體主體(2)的所述半導(dǎo)體層序列的生長襯底。