[發明專利]對AC繼電器進行快速放電的系統和方法

有效

• 申請號: 200980115235.2
• 申請日: 2009-04-28
• 公開（公告）號: CN102017041A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 馬爾科姆·J·克里奇利
• 申請（專利權）人: 李持國際有限公司
• 主分類號: H01H47/32
• 分類號: H01H47/32
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;宋志強

1.一種用于對繼電器線圈進行放電的電路，所述電路包括：

被配置為給所述繼電器線圈供電的電源；

連接至所述電源的整流器電路，所述整流器電路包括至少一個二極管；

繼電器釋放電路，包括：

連接至所述整流器電路的開關，所述開關與所述繼電器線圈串聯，其中所述繼電器線圈連接至所述整流器電路；以及

并聯連接至所述繼電器線圈的抑制電路，所述抑制電路包括與齊納二極管串聯的第二二極管；

其中所述繼電器線圈被配置為在被充分供電時提供足以激勵與至少一條切換電源線連接的至少一個負載開關的合閘力；并且

其中所述抑制電路被配置為對存儲在所述繼電器電路中的能量進行放電。

2.根據權利要求1所述的電路，

其中所述開關具有預先選擇的電壓極限值；并且

其中所述齊納二極管具有小于所述開關的電壓極限值的擊穿電壓。

3.根據權利要求2所述的電路，其中施加至所述開關的小于所述電壓極限值的電壓不會使在所述開關兩端形成電弧。

4.根據權利要求2所述的電路，其中所述開關是MOSFET開關。

5.根據權利要求4所述的電路，其中所述MOSFET開關的預先選擇的電壓極限值基于所述MOSFET開關的體二極管的特性。

6.根據權利要求1所述的電路，其中所述整流器電路包括橋式整流器電路，所述橋式整流器電路包括采用橋式配置的四個二極管。

7.根據權利要求1所述的電路，其中所述第二二極管的陽極連接至所述齊納二極管的陽極。

8.根據權利要求1所述的電路，其中所述第二二極管的陰極連接至所述齊納二極管的陰極。

9.根據權利要求1所述的電路，所述開關被配置為將所述繼電器線圈和所述抑制電路與所述整流器電路隔離。

10.一種用于對繼電器線圈進行放電的電路，所述電路包括：

包括跨接整流器電路布置的繼電器線圈的繼電器電路，其中所述繼電器線圈被配置為在被充分供電時激勵至少一個負載開關；

繼電器釋放電路，包括：

跨接所述繼電器線圈的抑制電路；和

串聯在所述繼電器線圈與所述整流器電路之間的隔離電路；以及

控制電路，被配置為向所述整流器電路提供電壓以給所述繼電器線圈供電；

其中所述隔離電路被配置為基于來自所述控制電路的信號隔離所述繼電器線圈和抑制電路。

11.根據權利要求10所述的電路，其中所述抑制電路被配置為耗散在所述繼電器線圈中存儲的能量。

12.根據權利要求10所述的電路，其中所述繼電器電路被配置為在從所述繼電器線圈耗散足夠的能量時釋放所述負載開關。

13.根據權利要求10所述的電路，其中所述繼電器釋放電路被配置為最小化包括所述繼電器線圈的繼電器的釋放時間。

14.根據權利要求10所述的電路，其中所述整流器電路包括橋式整流器電路，所述橋式整流器電路包括采用橋式配置的四個二極管。

15.根據權利要求10所述的電路，其中所述隔離電路是開關。

16.根據權利要求15所述的電路，

其中所述開關具有預先選擇的電壓極限值；

其中所述抑制電路包括與二極管串聯的齊納二極管；并且

其中所述齊納二極管的擊穿電壓小于所述開關的電壓極限值。

17.根據權利要求15所述的電路，其中所述開關是MOSFET。

18.根據權利要求17所述的電路，其中所述MOSFET的柵極連接至與齊納二極管和電阻器串聯的RC電路，其中所述RC電路、所述齊納二極管和所述電阻器跨接所述整流器。

19.根據權利要求10所述的電路，其中所述抑制電路包括與二極管串聯的齊納二極管。

20.根據權利要求10所述的電路，所述隔離電路被配置為將所述繼電器線圈和所述抑制電路與所述整流器電路隔離。