[發明專利]固態成像裝置有效
| 申請號: | 200980115090.6 | 申請日: | 2009-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN102017150A | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發明(設計)人: | 山下雄一郎;小林昌弘;渡邊高典;小島伸介;市川武史;大貫裕介 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 楊小明 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及固態成像裝置,特別是涉及具有像素的固態成像裝置,這些像素中的每一個具有能夠進行電子快門操作的電荷載流子保持部分。
背景技術
常規上,作為具有像素(所述像素中的每一個具有能夠電子快門操作的電荷載流子保持部分)的固態成像裝置,已知在日本專利申請公開No.2006-262070和No.2006-246450中公開的配置。
日本專利申請公開No.2006-262070公開了具有通過MOS晶體管在向電源傳送光電二極管的電荷載流子的第一模式和向電容器傳送在光電二極管中產生的電荷載流子的第二模式之間執行切換的快門控制器的配置。
日本專利申請公開No.2006-246450公開了在光電轉換時段的一部分上向電荷載流子蓄積區域傳送在光電轉換部分中產生的電荷的一部分的配置。
例如,在如日本專利申請公開No.2006-262070和No.2006-246450描述的那樣在光電轉換時段中向電荷載流子蓄積區域傳送在光電轉換時段中產生的信號載流子的配置的情況下,會出現以下的問題:將基于保持在電荷載流子蓄積區域中的電荷載流子的信號讀出到共用輸出線是線順序的(line-sequential)。在這種情況下,需要在電荷載流子蓄積區域中保持電荷載流子,直到掃描單元選擇像素并讀出共用輸出線上的信號。當在這種狀態下將光射入光電轉換部分中時,電荷會移動到電荷載流子蓄積區域中。當出現這種電荷載流子移動時,由于混入了在與基本光電轉換時段不同的時段中產生的電荷載流子,因此出現噪聲。由于電荷載流子混合量隨在電荷載流子蓄積區域中保持的時間改變,因此,噪聲作為圖像陰影出現并且容易被視覺地識別。對于圖像質量來說,噪聲是不希望的。
發明內容
鑒于以上的問題,本發明的目的是,例如,在于光電轉換時段中將電荷載流子傳送到電荷載流子蓄積部分的配置中,抑制噪聲混入電荷載流子蓄積區域中。
根據本發明,提供一種包括多個像素的固態成像裝置,各像素包含:光電轉換部分;用于保持來自光電轉換部分的信號載流子的第一保持部分;用于放大并讀取基于在光電轉換部分中產生的信號載流子的信號的放大部分;和用于控制光電轉換部分和溢出漏極區域之間的電連接的載流子排出(discharge)控制部分,其中,在埋入溝道結構中形成光電轉換部分和第一保持部分之間的載流子路徑,并且,通過第一保持部分和放大部分之間的第一傳送部分布置第二保持部分。
從結合附圖進行的以下描述,本發明的其它特征和優點將會清晰,在這些附圖中,類似的附圖標記始終表示相同或類似的部分。
被包含于說明書中并構成其一部分的附圖示出本發明的實施例,并與說明一起用于解釋本發明的原理。
附圖說明
圖1是根據第一實施例的固態成像裝置的等效電路圖。
圖2A和圖2B分別是根據第一實施例的固態成像裝置的頂視圖和截面圖。
圖3是根據第一實施例的固態成像裝置的驅動脈沖模式。
圖4是根據第二實施例的固態成像裝置的等效電路圖。
圖5A、圖5B和圖5C分別是根據第二實施例的固態成像裝置的頂視圖和截面圖。
圖6示出根據第二實施例的固態成像裝置的驅動脈沖模式的例子。
圖7示出根據第二實施例的固態成像裝置的驅動脈沖模式的例子。
圖8是根據第三實施例的固態成像裝置的等效電路圖。
圖9A、圖9B和圖9C示出根據第三實施例的固態成像裝置的頂視圖和截面圖。
圖10示出向圖8、圖9A、圖9B和圖9C中的控制電極和傳送電極中的每一個供給的驅動脈沖。
圖11示出向控制電極和傳送電極中的每一個供給的驅動脈沖。
圖12示出根據第四實施例的固態成像裝置的等效電路圖。
圖13示出根據第四實施例的固態成像裝置的頂視圖和截面圖。
圖14示出根據第四實施例的驅動脈沖。
具體實施方式
現在將根據附圖詳細描述本發明的優選實施例。
(第一實施例)
圖1是根據本實施例的固態成像裝置的等效電路圖并且示出6個像素,但是,固態成像裝置可被配置為具有更多個的像素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





