[發(fā)明專利]納米孔的制備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980114307.1 | 申請日: | 2009-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN102015079A | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 薩魯納斯·佩特羅尼斯;本特·卡斯莫文 | 申請(專利權(quán))人: | 薩魯納斯·佩特羅尼斯;本特·卡斯莫文 |
| 主分類號: | B01D67/00 | 分類號: | B01D67/00 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧 |
| 地址: | 瑞典哥*** | 國省代碼: | 瑞典;SE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 制備 | ||
1.一種制備含有納米孔的膜的方法,所述方法包括以下步驟:
a)提供一個包括第一面和與之相反的第二面的支撐,
b)將膠體粒子沉積并吸附于所述支撐的所述第一面上,
c)將一層成膜材料沉積于所述膠體粒子和支撐上,
d)將膠黏材料施加于被成膜材料覆蓋的膠體粒子上,
e)通過將膠黏材料和膠體粒子一起剝離的方法,將所述覆蓋的膠體粒子從所述支撐上進行機械移除,其中至少部分被成膜材料覆蓋的膠體粒子從支撐上移除,而帶有孔徑的成膜材料仍保留于支撐上,
f)對于所述帶有孔徑的膜,在所述支撐上貫穿支撐的整個厚度形成窗口,使所述膜從支撐的第二面顯露出來。
2.一種制備含有納米孔的膜的方法,所述方法包括以下步驟:
a)提供一種包括第一面和與之相反的第二面的成膜材料,
b)將膠體粒子沉積并吸附于所述成膜材料的第一面上,
c)將保護材料層沉積于所述膠體粒子和成膜材料上,
d)將膠黏材料施加于被保護材料覆蓋的膠體粒子上,
e)通過將膠黏材料和膠體粒子一起剝離的方法將被保護材料覆蓋的所述膠體粒子從所述成膜材料上進行機械移除,其中膠體粒子和至少部分覆蓋膠體粒子的保護材料膜從成膜材料上移除,而帶有孔徑的保護材料膜仍保留于成膜材料上,
f)在保護材料的孔徑內(nèi)對成膜材料進行刻蝕,形成帶有孔徑的膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述成膜材料施加于一個具有第一面和與之相反的第二面的支撐上,其中成膜材料施加于支撐的第一面上,并在支撐上貫穿支撐的整個厚度形成窗口,使所述膜從支撐的第二面顯露出來,所述窗口在成膜材料上形成孔徑進而制成帶有納米孔徑的所述膜之前或之后形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法,進一步包括在對成膜材料進行刻蝕后,將所述保護材料進行移除。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求任一所述的方法,進一步包括在將成膜材料或保護材料沉積于所述被吸附的膠體粒子前,采用化學(xué)和/或物理刻蝕的方法減小被吸附的膠體粒子。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求任一所述的方法,其中支撐上的窗口采用刻蝕工藝進行制備。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求任一所述的方法,其中成膜材料包括硅化合物如氮化硅或氧化硅,或金屬如鉻、金、鎳或鋁或上述材料的混合物。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求任一所述的方法,其中支撐包括硅或鍺。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求任一所述的方法,其中保護材料為硅化合物如氮化硅或氧化硅;聚合物材料或金屬如鉻、金、鎳或鋁。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求任一所述的方法,其中膠體粒子由聚合物材料如聚苯乙烯,氧化物如SiO2或金屬氧化物如Al2O3或TiO2制成。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求任一所述的方法,其中膠體粒子的粒徑為3~3000nm。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求任一所述的方法,其中覆蓋膠體粒子的成膜材料或保護材料的厚度等于或小于膠體刻蝕中所使用的粒子直徑,優(yōu)選等于或小于膠體刻蝕中所使用的粒子直徑的50%或33%。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求任一所述的方法,進一步包括減小納米孔徑的直徑。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求任一所述的方法,進一步包括采用一種或幾種功能性涂料對膜進行涂層。
15.用前述權(quán)利要求任一所述的方法制備的膜。
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