[發(fā)明專利]納米線圍柵裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980114203.0
• 申請日: 2009-04-15
• 公開（公告）號: CN102007067A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·奧爾森;L·薩穆爾森;E·林德
• 申請（專利權(quán)）人: 昆南諾股份有限公司
• 主分類號: B82B1/00
• 分類號: B82B1/00;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/775;H01L29/778
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 湯春龍;王洪斌

1.一種包括至少第一半導(dǎo)體納米線(105)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一納米線(105)包括第一導(dǎo)電類型的第一縱長區(qū)(121)、第二導(dǎo)電類型的第二縱長區(qū)(122)以及設(shè)置在所述納米線(105)的所述第一區(qū)(121)以便在將電壓施加到第一圍柵電極(111)時改變與所述第一縱長區(qū)(121)關(guān)聯(lián)的所述納米線(105)的至少第一部分(101)中載荷子濃度的所述至少第一圍柵電極(111)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二縱長區(qū)(122)沿所述納米線(105)的長度與所述第一縱長區(qū)(121)依次設(shè)置。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二縱長區(qū)(122)設(shè)置在與所述第一納米線電接觸的第二納米線(106)中。

4.如權(quán)利要采1至3中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二圍柵電極(112)設(shè)置在所述第二縱長區(qū)(122)，以便在將電壓施加到所述第二圍柵電極(112)時改變與所述第二縱長區(qū)(122)關(guān)聯(lián)的至少一部分(102)中的所述載荷子濃度。

5.如權(quán)利要求1或4中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一縱長區(qū)(121)和所述第二縱長區(qū)(122)是相同的導(dǎo)電類型。

6.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，至少所述第一縱長區(qū)(121)和所述第二縱長區(qū)(122)就成分和/或摻雜而論是同質(zhì)的。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一和所述第二縱長區(qū)(121，122)包括不同成分的至少兩個異質(zhì)結(jié)構(gòu)段。

8.如權(quán)利要求1至7中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，包括：在所述第一縱長區(qū)(121)與所述第二縱長區(qū)(122)之間的界面(116)處的人工縱長結(jié)(114)，其中在所述結(jié)(114)的各側(cè)具有不同導(dǎo)電類型，并且對于其一側(cè)的所述部分(101)，在施加所述電壓時形成所述結(jié)。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述人工縱長結(jié)(114)為pn結(jié)。

10.如權(quán)利要求1至3中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一縱長區(qū)(121)和所述第二縱長區(qū)(122)是不同的導(dǎo)電類型。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，對于其一側(cè)的所述部分(101)，所述第一縱長區(qū)(121)與所述第二縱長區(qū)(122)之間的界面(116)包括在縱長結(jié)(114)的各側(cè)具有不同導(dǎo)電類型的所述結(jié)(114)，并且所述第一圍柵電極(111)適合在施加所述電壓時使所述縱長結(jié)(114)移動。

12.如權(quán)利要求1至11中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一納米線(105)包括第三縱長區(qū)(123)，所述第一縱長區(qū)(121)安置在所述第二與第三縱長區(qū)(122，123)之間，以及其中一個或多個圍柵電極(111，112，113)適合控制p型區(qū)與n型區(qū)之間的耗盡區(qū)的寬度和位置。

13.如權(quán)利要求4至12中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述納米線(105)包括由具有所述第一圍柵電極(111)的所述第一區(qū)(121)和具有所述第二圍柵電極(112)的所述第二區(qū)(122)來形成的人工結(jié)(114)，適合改變所述載荷子濃度，使得所述第一和第二區(qū)(121，122)的任一個為p型區(qū)，而另一個為n型區(qū)。

14.如以上權(quán)利要求中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述區(qū)(121，122，123)和一個或多個圍柵電極(111，112，113)提供人工pn或pin結(jié)以便產(chǎn)生光，所述有源區(qū)適合在不同成分和/或尺寸的異質(zhì)結(jié)構(gòu)段之間移動，以便產(chǎn)生具有不同波長的光。

15.如以上權(quán)利要求中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述區(qū)(121，122，123)和一個或多個圍柵電極(111，112，113)提供人工pn結(jié)以便產(chǎn)生光，所述有源區(qū)適合沿梯度成分的納米線段移動，以便產(chǎn)生具有不同波長的光。

16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述納米線(105)包括形成徑向異質(zhì)結(jié)構(gòu)的核心(107)和至少第一殼層(108)，并且所述第一圍柵電極(111)適合用于在將電壓施加到所述第一圍柵電極(111)時改變沿所述第一納米線(105)的所述第一縱長區(qū)(121)的徑向的所述載荷子濃度。