[發明專利]在硅上制備用于太陽能電池制造的陶瓷鈍化層的方法

有效

• 申請號: 200980114020.9
• 申請日: 2009-08-26
• 公開（公告）號: CN102017097A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: K·羅德;H·維澤爾
• 申請（專利權）人: 科萊恩金融(BVI)有限公司
• 主分類號: H01L21/312
• 分類號: H01L21/312;H01L31/0216;C23C18/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 鄧毅

1.在結晶硅上制備鈍化層的方法，通過

a)采用含有至少一種通式(1)的聚硅氮烷的溶液涂布所述硅

-(Si?R′R″-NR″′)_n-????(1)

其中R′、R″、R″′相同或不同，且彼此獨立地表示氫或任選取代的烷基、芳基、乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基，其中n為整數且如此確定n，使得該聚硅氮烷的數均分子量為150～150000g/mol，

b)隨后通過蒸發除去溶劑，由此在硅晶片之上留下厚度為50-500nm的聚硅氮烷層，和

c)在空氣或氮氣的存在下在常壓下將該聚硅氮烷層加熱到200-1000℃，其中在熱處理時陶瓷層釋放出氫從而使硅本體鈍化。

2.權利要求1的方法，其特征在于，在襯底上形成陶瓷層

Si_uN_vH_wO_xC_y????(4)

其中u＝1；v＝1.3-0；w＝3-0；x＝1.3-0；y＝1.5-0，

且該陶瓷層作為用于本體鈍化的氫擴散源。

3.權利要求1和/或2的方法，其特征在于，該聚硅氮烷溶液含有至少一種全氫化聚硅氮烷(其中R′、R″和R″′＝H)。

4.前述權利要求中至少一項的方法，其特征在于，在空氣存在下進行涂布，且形成組成為x＞v的相，其中v＜1且x＜1.3且不等于0，以及w＝2.5-0且y＜0.5，其中每種情形下u為1。

5.權利要求1和/或2的方法，其特征在于，在氮氣存在下進行涂布，且形成組成為v＜1.3且x＜0.1，以及w＝2.5-0且y＜0.2的相，其中每種情形下u為1。

6.前述權利要求中至少一項的方法，其特征在于，陶瓷層的層厚度范圍為10-200nm。

7.前述權利要求中至少一項的方法，其特征在于，該聚硅氮烷溶液含有催化劑，以及任選的其它添加劑。

8.前述權利要求中至少一項的方法，其特征在于，將該陶瓷層施加到n型硅上。

9.前述權利要求中至少一項的方法，其特征在于，將該陶瓷層施加到p型硅上。

10.含有至少一種通式(1)的聚硅氮烷的聚硅氮烷溶液用于在結晶硅上制備鈍化層的用途

-(SiR′R″-NR″′)_n-????(1)

其中R′、R″、R″′相同或不同，且彼此獨立地表示氫或任選取代的烷基、芳基、乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基，其中，n為整數且如此確定n使得該聚硅氮烷的數均分子量為150～150000g/mol。