[發明專利]成膜裝置有效
| 申請號: | 200980113887.2 | 申請日: | 2009-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN102017096A | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發明(設計)人: | 辻德彥;諸井政幸;澤地淳;河東進 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/31 | 分類號: | H01L21/31;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李偉;舒艷君 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
1.一種成膜裝置,其通過在真空容器內,多次執行將第一反應氣體和第二反應氣體交替地供給并排氣的循環,來使上述反應氣體發生反應而在基板的表面上將薄膜成膜,其特征在于,具有:
多個下部件,它們設置在上述真空容器內,各自包含基板的載置區域;
多個上部件,它們分別與上述多個下部件對置地設置,在與上述載置區域之間形成處理空間;
第一反應氣體供給部以及第二反應氣體供給部,它們用于向上述處理空間內分別供給第一反應氣體和第二反應氣體;
吹掃氣體供給部,其用于在供給上述第一反應氣體的時刻和供給上述第二反應氣體的時刻之間,向上述處理空間內供給吹掃氣體;
排氣用開口部,其沿上述處理空間的周向形成,用于連通該處理空間內和作為該處理空間的外部的上述真空容器內的環境氣氛;
真空排氣機構,其用于經上述排氣用開口部以及上述真空容器內的環境氣氛對上述處理空間進行真空排氣。
2.根據權利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,
上述上部件的內周面從上部向下方形成為逐漸擴展的形狀。
3.根據權利要求1或2所述的成膜裝置,其特征在于,上述排氣用開口部由在上述上部件的下緣和下部件之間沿周向形成的間隙形成。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的成膜裝置,其特征在于,
在上述上部件的中央部形成有用于供給第一反應氣體、第二反應氣體以及吹掃氣體的氣體供給口。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的成膜裝置,其特征在于,
多組上述上部件和上述下部件沿真空容器的周向配置。
6.根據權利要求5所述的成膜裝置,其特征在于,
還具有通用的旋轉機構,該旋轉機構使沿上述真空容器的周向配置的多組上述上部件和上述下部件沿該周向一體地旋轉,通過在上述真空容器的側壁面設置的交接口而能夠在該真空容器的外部的基板搬送機構和上述載置區域之間交接基板。
7.根據權利要求1~6中任一項所述的成膜裝置,其特征在于,
還具有升降機構,為了形成在上述真空容器的外部的基板搬送機構和上述載置區域之間進行基板的交接的間隙,而使上述下部件相對于上述上部件相對地升降。
8.根據權利要求7所述的成膜裝置,其特征在于,上述升降機構設置為對于多個上述下部件通用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





