[發明專利]光電池和光電池的基板

無效

• 申請號: 200980113621.8
• 申請日: 2009-02-17
• 公開（公告）號: CN102007562A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: F·格龍巴爾;E·彼得;S·奧夫雷;E·馬特曼;U·比勒特;N·詹克
• 申請（專利權）人: 法國圣戈班玻璃廠
• 主分類號: H01J17/04
• 分類號: H01J17/04;H01J9/02;H01J17/49;C03C17/36;B32B17/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉維升;林森

1.具有吸收性光電材料，尤其基于鎘的吸收性光電材料的光電池(1)，所述電池包含正面基板(10)，尤其透明玻璃基板，其在主表面上包含由包括至少一個金屬功能層(40)，尤其基于銀的金屬功能層，和至少兩個減反射涂層(20，60)的薄層疊層構成的透明電極涂層(100)，所述減反射涂層各自包含至少一個減反射層(24，26；66，68)，使所述功能層(40)設置在這兩個減反射涂層(20，60)之間，其特征在于在基板相對側的設置在金屬功能層(40)上方的減反射涂層(60)包括至少兩個減反射層(66，68)，離金屬功能層(40)最遠的減反射層(68)是比最接近金屬功能層(40)的減反射層(66)更電阻性的。

2.如權利要求1所述的光電池(1)，特征在于離金屬功能層(40)最遠的減反射層(68)具有的電阻率等于最靠近金屬功能層(40)的減反射層(66)的電阻率的至少5倍、甚至至少10倍、甚至至少100倍。

3.如權利要求1或2所述的光電池(1)，其特征在于離金屬功能層(40)最遠的減反射層(68)具有5×10^-3Ω.cm至10Ω.cm的電阻率ρ。

4.如權利要求1-3任一項所述的光電池(1)，其特征在于最接近金屬功能層(40)的減反射層(66)具有10^-5Ω.cm-5×10^-3Ω.cm的電阻率ρ，不包括該后面的端值。

5.如權利要求1-4任一項所述的光電池(1)，其特征在于最接近金屬功能層(40)的減反射層(66)和離金屬功能層(40)最遠的減反射層(68)基于相同的氧化物，尤其基于氧化鋅ZnO，氧化錫SnO₂，二氧化鈦TiO₂，氧化鎵Ga₂O₃，氧化銦In₂O₃，氧化硅SiO₂，或者基于混合氧化銦錫ITO，混合氧化鎵鋅GZO，混合氧化鋅銦IZO，混合氧化錫鋅Zn₂SnO₄，混合氧化鋅銦鎵IGZO，這種氧化物任選地是非化學計量的

6.如權利要求1-5任一項所述的光電池(1)，其特征在于離金屬功能層(40)最遠的減反射層(68)具有的光學厚度占該離基板最遠的減反射涂層(60)的光學厚度的2-50％，并且特別地光學厚度占離該離基板最遠的減反射涂層(60)的總光學厚度的2-25％。

7.如權利要求1-6任一項所述的光電池(1)，其特征在于這種離該金屬功能層(40)最遠的減反射層(68)具有2-100nm，優選地5-50nm的實際厚度。

8.如權利要求1-7任一項所述的光電池(1)，其特征在于在基板相對側的設置在金屬功能層(40)上方的減反射涂層(60)具有的光學厚度約等于該光電材料的最大吸收波長λ_m的二分之一，優選地在基板相對側的設置在金屬功能層(40)上方的減反射涂層(60)具有的光學厚度約等于該光電材料的吸收光譜乘以太陽光譜的乘積的最大波長λ_M的二分之一。

9.如權利要求1-8任一項所述的光電池(1)，其特征在于設置在金屬功能層(40)上方的所述減反射涂層(60)具有的光學厚度為該光電材料的最大吸收波長λ_m的0.45至0.55倍，包括這些端點值，優選地，設置在金屬功能層(40)上方的所述減反射涂層(60)具有的光學厚度為該光電材料的吸收光譜乘以太陽光譜的乘積的最大波長λ_M的0.45至0.55倍，包括這些端點值。

10.如權利要求1-9任一項所述的光電池(1)，其特征在于在基板方向上的設置在金屬功能層(40)下方的減反射涂層(20)具有的光學厚度約等于該光電材料的最大吸收波長λ_m的1/8，優選地在基板方向上的設置在金屬功能層(40)下方的減反射涂層(20)具有的光學厚度約等于該光電材料的吸收光譜乘以太陽光譜的乘積的最大波長λ_M的1/8。