[發(fā)明專利]基板的面粗糙化方法、光電動(dòng)勢裝置的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980113397.2
• 申請日: 2009-03-23
• 公開（公告）號(hào): CN102007582A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 西村邦彥;松野繁
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/306
• 分類號(hào): H01L21/306;H01L31/04
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 金春實(shí)

1.一種基板的面粗糙化方法，其特征在于，包括：

第1工序，在基板的表面形成保護(hù)膜；

第2工序，對所述保護(hù)膜實(shí)施噴射加工處理而在所述保護(hù)膜中形成開口；

第3工序，以形成了所述開口的所述保護(hù)膜為掩模，在所述保護(hù)膜具有耐性的條件下，對所述基板中的形成了所述保護(hù)膜的面實(shí)施蝕刻；以及

第4工序，去除所述保護(hù)膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的面粗糙化方法，其特征在于，

所述蝕刻是各向同性蝕刻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的面粗糙化方法，其特征在于，

在所述第1工序與所述第2工序之間，包括在所述保護(hù)膜的表面形成液體膜的工序，

在所述第2工序中，經(jīng)由所述液體膜實(shí)施所述噴射加工處理，

在所述第2工序與所述第3工序之間，包括去除所述液體膜的工序。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的面粗糙化方法，其特征在于，

在所述第2工序中，將對所述基板的表面的垂線與噴上所述噴射加工中使用的噴射磨粒的方向所成的角設(shè)為10度以上60度以下。

5.一種光電動(dòng)勢裝置的制造方法，其特征在于，包括：

面粗糙化工序，通過權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的基板的面粗糙化方法，對第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)冗M(jìn)行面粗糙化；

雜質(zhì)擴(kuò)散層形成工序，在所述半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)龋沟?導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散而形成雜質(zhì)擴(kuò)散層；以及

電極形成工序，在所述半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)鹊碾姌O形成區(qū)域以及所述半導(dǎo)體基板的另一面?zhèn)刃纬呻姌O。