[發(fā)明專利]低漏電流和/或低導(dǎo)通電壓的肖特基二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980112917.8
• 申請日: 2009-09-03
• 公開（公告）號: CN101999163A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉揚·永;馬蒂·E·加內(nèi)特
• 申請（專利權(quán)）人: 美國芯源系統(tǒng)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種肖特基二極管，包括：

電子施主摻雜埋層；

陽極；

陰極；和

N阱或N型外延層，所述N阱或N型外延層包括：

第一區(qū)域，所述第一區(qū)域具有施主電子濃度；

第二區(qū)域，所述第二區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上與電子施主摻雜埋層相鄰且具有比第一區(qū)域更高的施主電子濃度，其中第二區(qū)域包括注入的磷施主電子；和

第三區(qū)域，所述第三區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上與陽極相鄰且具有比第一區(qū)域更低的施主電子濃度，其中第三區(qū)域包括硼。

2.如權(quán)利要求1中所述的肖特基二極管，其中第二區(qū)域配置為降低肖特基二極管的電阻。

3.如權(quán)利要求1中所述的肖特基二極管，其中第三區(qū)域配置為降低肖特基二極管的反向漏電流。

4.如權(quán)利要求1中所述的肖特基二極管，其中所述陽極和所述陰極分別包括鈦、氮化鈦或者鈷中的至少一種。

5.如權(quán)利要求1中所述的肖特基二極管，其中N阱或者N型外延層進一步包括：

第四區(qū)域，所述第四區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上與陰極相鄰，且具有比第一區(qū)域更高的施主電子濃度；

電介質(zhì)場氧化物區(qū)域，所述電介質(zhì)場氧化物區(qū)域形成為圍繞陽極的環(huán)形結(jié)構(gòu)；和

P型區(qū)域，所述P型區(qū)域形成為圍繞陽極的環(huán)形結(jié)構(gòu)，其中擊穿電壓取決于P型區(qū)域的摻雜。

6.如權(quán)利要求1中所述的肖特基二極管，其中以20KeV到50KeV范圍內(nèi)的能量，以5*10¹¹/cm²到5*10¹²/cm²范圍內(nèi)的劑量注入硼，且其中以600KeV到2MeV范圍內(nèi)的能量，以5*10¹¹/cm²到5*10¹²/cm²范圍內(nèi)的劑量注入磷施主電子。

7.如權(quán)利要求1中所述的肖特基二極管，其中第二區(qū)域從至少局部與陽極對準(zhǔn)的區(qū)域延伸到至少局部與陰極對準(zhǔn)的另一區(qū)域。

8.一種肖特基二極管，包括：

電子施主摻雜埋層；

陽極；

陰極；和

N阱或者N型外延層，所述N阱或者N型外延層包括：

第一區(qū)域，所述第一區(qū)域具有第一施主電子濃度，和

以下二者中的至少一個，或二者都包括：

相對較深的區(qū)域，所述相對較深的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上與電子施主摻雜埋層相鄰且具有比第一施主電子濃度更高的施主電子濃度，

相對較淺的區(qū)域，所述相對較淺的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上與陽極相鄰且具有比第一施主電子濃度更低的施主電子濃度。

9.如權(quán)利要求8中所述的肖特基二極管，其中N阱或者N型外延層包括相對較深的區(qū)域，且其中所述相對較深的區(qū)域包括注入的磷施主電子。

10.如權(quán)利要求8中所述的肖特基二極管，其中所述N阱或者N型外延層包括相對較淺的區(qū)域，且其中所述相對較淺的區(qū)域包括注入的硼。

11.如權(quán)利要求8中所述的肖特基二極管，其中N阱或者N型外延層包括相對較深的區(qū)域和相對較淺的區(qū)域，其中所述相對較深的區(qū)域包括注入的磷施主電子，且其中所述相對較淺的區(qū)域包括注入的硼。

12.如權(quán)利要求11中所述的肖特基二極管，其中注入的磷施主電子是以600KeV到2MeV范圍內(nèi)的能量，以5*10¹¹/cm²到5*10¹²/cm²范圍內(nèi)的劑量被注入的，且其中注入的硼是以20KeV到50KeV范圍內(nèi)的能量，以5*10¹¹/cm²到5*10¹²/cm²范圍內(nèi)的劑量被注入的。

13.如權(quán)利要求8中所述的肖特基二極管，其中陽極和陰極都是由低勢壘高度金屬形成的。

14.如權(quán)利要求8中所述的肖特基二極管，其中N阱或者N型外延層進一步包括：

第二相對較淺的區(qū)域，所述第二相對較淺的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上與陰極相鄰且具有比第一施主電子濃度更高的施主電子濃度；和

P型區(qū)域，所述P型區(qū)域形成為圍繞陽極的環(huán)形結(jié)構(gòu)。