[發明專利]用于多晶硅發射極太陽能電池的簡化背觸點

無效

• 申請號: 200980112596.1
• 申請日: 2009-04-09
• 公開（公告）號: CN101999175A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 皮特·G·博登;徐力
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種太陽能電池，包括：

一基板，其具有一正面及一背面；

一第一觸點結構，連接至形成在該基板背面上的一第一組多晶硅區；

一第二觸點結構，連接至形成在該基板背面上的一第二組多晶硅區，該第一及第二多晶硅區有相反的導電型；以及

一隧道介電層，介于該第一及第二多晶硅區與該基板之間。

2.如權利要求1所述的太陽能電池，其中所述隧道介電層包括一氮化物層。

3.如權利要求1所述的太陽能電池，其中所述第一及第二觸點結構彼此叉合。

4.如權利要求1所述的太陽能電池，還包括形成在該基板的正面上的一鈍化電介質。

5.一種制造一太陽能電池的方法，包括：

制備一基板，該基板具有一正面及一背面；

在該基板的背面上沉積一第一多晶硅層；

在該基板的背面上沉積一第二多晶硅層，該第一及第二多晶硅層具有相反的導電型；以及

執行一退火，其使該第一及第二沉積的多晶硅層在該基板的背面上形成各自的第一及第二多晶硅區。

6.如權利要求5所述的方法，還包括：

在執行該退火步驟之前形成一隧道介電層，該隧道介電層介于該第一及第二多晶硅區與該基板之間，其中該隧道介電層由阻斷從這些多晶硅區至該基板的擴散的材料構成。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述隧道介電層包括一氮化物層。

8.如權利要求5所述的方法，其中所述沉積該第一多晶硅層的步驟包括在該背面上沉積一p型多晶硅材料薄層，且其中沉積該第二多晶硅層的步驟包括在該第一多晶硅層上構圖n型多晶硅材料的接線。

9.如權利要求5所述的方法，其中所述沉積該第一多晶硅層的步驟包括在該背面上構圖n型多晶硅材料的接線，且其中沉積該第二多晶硅層的步驟包括在該背面及該第一多晶硅層上沉積一p型多晶硅材料層，并且在該第二多晶硅層內開孔，以暴露出該第一多晶硅層。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述p型多晶硅材料包括一旋涂玻璃(SOG)。

11.如權利要求9所述的方法，其中所述退火步驟包括一驅入退火，后接一回流退火。

12.如權利要求11所述的方法，其中所述驅入退火和回流退火均使用相同退火執行。

13.如權利要求5所述的方法，還包括：

形成第一及第二觸點結構，分別接觸該第一及第二多晶硅區。

14.如權利要求13所述的方法，其中所述第一及第二觸點結構彼此叉合地形成。

15.如權利要求5所述的方法，還包括在該基板正面上形成一鈍化電介質。