[發(fā)明專利]縱型熱處理用晶舟及使用此晶舟的硅晶片的熱處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980112346.8
• 申請(qǐng)日: 2009-04-09
• 公開（公告）號(hào): CN101990699A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小林武史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信越半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/22
• 分類號(hào): H01L21/22;H01L21/324;H01L21/673
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 郭曉東;馬少東

1.一種縱型熱處理用晶舟，至少具備：二根以上的支柱；一對(duì)板狀構(gòu)件，用以連結(jié)各支柱的兩端部；晶舟主體，其具有多個(gè)支撐部，該支撐部用以將被處理基板水平地支撐于所述各支柱上；以及支撐輔助構(gòu)件，其分別可裝卸地裝設(shè)在所述多個(gè)支撐部上，所述被處理基板則要被載置于其上；該縱型熱處理用晶舟的特征在于：

所述支撐輔助構(gòu)件，具有：導(dǎo)引構(gòu)件，其要被裝設(shè)在所述支撐部上；以及基板支撐構(gòu)件，其通過該導(dǎo)引構(gòu)件而被安置，所述被處理基板則要被載置于該基板支撐構(gòu)件上；

所述導(dǎo)引構(gòu)件，在其頂面形成孔；

所述基板支撐構(gòu)件，要被插嵌于所述導(dǎo)引構(gòu)件的孔中而被安置；當(dāng)所述支撐輔助構(gòu)件被裝設(shè)在晶舟主體的支撐部上的時(shí)候，所述被處理基板要被載置的面的高度位置，比所述導(dǎo)引構(gòu)件的頂面的高度位置更高；

所述基板支撐構(gòu)件，由碳化硅、硅、施行碳化硅的化學(xué)氣相沉積被覆后的碳化硅、施行碳化硅的化學(xué)氣相沉積被覆后的硅、或施行碳化硅的化學(xué)氣相沉積被覆后的碳的任一種所構(gòu)成；

所述導(dǎo)引構(gòu)件，由石英、施行氧化硅膜處理后的碳化硅、施行氮化硅膜處理后的碳化硅、施行氮氧化硅膜處理后的碳化硅、施行氧化硅膜處理后的硅、施行氮化硅膜處理后的硅、或施行氮氧化硅膜處理后的硅的任一種所構(gòu)成。

2.如權(quán)利要求1所述的縱型熱處理用晶舟，其中，所述晶舟主體，由石英、施行氧化硅膜處理后的碳化硅、施行氮化硅膜處理后的碳化硅、施行氮氧化硅膜處理后的碳化硅、施行氧化硅膜處理后的硅、施行氮化硅膜處理后的硅、或施行氮氧化硅膜處理后的硅的任一種所構(gòu)成。

3.如權(quán)利要求1或2所述的縱型熱處理用晶舟，其中，所述基板支撐構(gòu)件的被處理基板要被載置的面的高度位置，與所述導(dǎo)引構(gòu)件的頂面的高度位置之差，是0.05～1.0mm。

4.一種硅晶片的熱處理方法，其特征在于：

是使用權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的縱型熱處理用晶舟，來對(duì)硅晶片進(jìn)行熱處理的方法，其中將所述支撐輔助構(gòu)件分別裝設(shè)在所述多個(gè)支撐部上，并將硅晶片載置在該支撐輔助構(gòu)件的基板支撐構(gòu)件上，來進(jìn)行熱處理。

5.如權(quán)利要求4所述的硅晶片的熱處理方法，其中，所述硅晶片的熱處理，以1100～1350℃的溫度來進(jìn)行。