[發(fā)明專利]基于二苊并吡嗪并喹喔啉衍生物的溶致液晶體系及制法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980112284.0 | 申請日: | 2009-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN101990540A | 公開(公告)日: | 2011-03-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭世俊;姜忠成;喬舒亞·蒂萊瑪;羅伯特·拉米萊茲 | 申請(專利權(quán))人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | C07D487/02 | 分類號: | C07D487/02;C09K19/34 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 王達(dá)佐;陰亮 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 喹喔啉 衍生物 液晶 體系 制法 | ||
1.具有以下結(jié)構(gòu)通式(I)或(II)之一的化合物:
其中R1、R2、R3、R4、R5和R6均獨立地選自-H、-SO3M、-OH、-NH2、-Cl、-Br、-I、-NO2、-F、-CF3、-CN、-COOH、-CONH2、烷基、芳基、炔基、烯基、烷氧基、烷基氨基、苯氧基和苯基氨基;M是一種或多種相反離子;j是與所述化合物締合的相反離子的數(shù)量;并且n是1至5的整數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的化合物,其中R1、R2、R3、R4、R5和R6是-H,并且n是1至4的整數(shù)。
3.如權(quán)利要求1至2中任一權(quán)利要求所述的化合物,其中M選自下列陽離子:H+、NH4+、K+、Li+、Na+、Cs+、Ca++、Sr++、Mg++、Ba++、Co++、Mn++、Zn++、Cu++、Pb++、Fe++、Ni++、Al3+、Ce3+、La3+及其組合。
4.如權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的化合物,其中一個或多個相反離子由至少兩個分子共用。
5.如權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的化合物,其中所述化合物能夠形成穩(wěn)定的溶致液晶體系。
6.如權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的化合物,其中所述化合物能夠形成光學(xué)各向同性或各向異性的膜。
7.如權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的化合物,其中所述化合物能夠形成至少部分結(jié)晶膜。
8.溶致液晶體系,其包含權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的至少一種化合物。
9.如權(quán)利要求8所述的溶致液晶體系,其中所述溶致液晶體系基于水。
10.如權(quán)利要求8至9中任一權(quán)利要求所述的溶致液晶體系,其中所述溶致液晶體系包含水和可與水混溶的有機(jī)溶劑的混合物。
11.如權(quán)利要求8至10中任一權(quán)利要求所述的溶致液晶體系,其中所述溶致液晶體系中的所述至少一種化合物的濃度為所述溶致液晶體系的約5%至約50%重量比。
12.如權(quán)利要求8至11中任一權(quán)利要求所述的溶致液晶體系,其進(jìn)一步包含一種或多種表面活性劑,其量高達(dá)所述溶致液晶體系的約5%重量比。
13.如權(quán)利要求8至12中任一權(quán)利要求所述的溶致液晶體系,其進(jìn)一步包含一種或多種增塑劑,其量高達(dá)所述溶致液晶體系的約5%重量比。
14.如權(quán)利要求8所述的溶致液晶體系,其進(jìn)一步包含:
選自通式(I)的第一化合物,其中所述第一化合物的濃度為所述溶致液晶體系的約5%至約50%重量比;以及
選自通式(II)的第二化合物,其中所述第二化合物的濃度為所述溶致液晶體系的約5%至約50%重量比。
15.如權(quán)利要求8至14中任一權(quán)利要求所述的溶致液晶體系,其進(jìn)一步包含至少一種水溶性有機(jī)染料,其中所述至少一種有機(jī)染料能夠參與所述溶致液晶體系的形成。
16.光學(xué)各向異性膜,其包含權(quán)利要求1所述的至少一種化合物。
17.如權(quán)利要求16所述的光學(xué)各向異性膜,其中所述膜通過在基底上沉淀包含至少一種感膠離子發(fā)色化合物的溶致液晶體系而形成。
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