[發明專利]用于顯示器的背景照明的照明設備以及具有這樣的照明設備的顯示器

無效

• 申請號: 200980111891.5
• 申請日: 2009-01-16
• 公開（公告）號: CN102099733A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: B·韋斯曼;M·蔡勒;H·布倫納;H·奧特;L·普勒茨;J·斯特勞斯
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: G02F1/13357
• 分類號: G02F1/13357
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張濤;李家麟

技術領域

本發明涉及一種用于顯示器的背景照明的照明設備以及一種具有這樣的照明設備的顯示器。

背景技術

例如在文獻DE?10?2004?046?696.3中說明了一種用于顯示器的照明設備。

發明內容

本發明的任務在于，說明一種改善了的用于顯示器的背景照明的照明設備。

該任務通過具有權利要求1的特征的照明設備和通過具有權利要求14的特征的顯示器來解決。

這種用于顯示器的背景照明的照明設備尤其是包括：

-至少一個半導體本體，所述半導體本體適于生成第一波長范圍的電磁射線，

-第一波長轉換物質，所述第一波長轉換物質在半導體本體的輻射方向上布置在半導體本體的發射射線的前側的后面并且適于將第一波長范圍的射線轉換成與第一波長范圍不同的第二波長范圍的射線，以及

-第二波長轉換物質，所述第二波長轉換物質在半導體本體的輻射方向上布置在半導體本體的發射射線的前側的后面并且適于將第一波長范圍的射線轉換成與第一和第二波長范圍不同的第三波長范圍的射線。

所述照明設備包括至少一個半導體本體作為光源。半導體本體例如相對于常規使用的冷陰極熒光燈(CCFL)所提供的優點是，這些半導體本體對振動不敏感以及基本上可自由調光并且實現快速的開關時間。此外，半導體本體與冷陰極熒光燈相比基本上不具有或者只具有非常小份額的有害重金屬，所述重金屬例如是水銀或者鉛。

特別優選地，所述半導體本體和兩種波長轉換物質被布置為使得由半導體本體生成的第一波長范圍的射線至少部分地落到第一和第二波長轉換物質上，從而第一波長范圍的射線被兩種波長轉換物質轉換成第二和第三波長范圍的射線。

由半導體本體發出的第一波長范圍的射線被第一波長轉換物質優選部分地轉換成與第一波長范圍不同的第二波長范圍的射線并且被第二波長轉換物質同樣優選部分地轉換成與第一和第二波長范圍不同的第三波長范圍的射線，而第一波長范圍的另一部分射線保持未被轉換。在這種情況下，所述照明設備發出混合射線，該混合射線具有未經轉換的第一波長范圍的射線以及經過轉換的第二和第三波長范圍的射線。

第一和/或第二波長轉換物質例如可以包含在波長轉換層中。特別優選地，具有第一和/或第二波長轉換物質的波長轉換層以直接接觸的方式施加到半導體本體的發射射線的前側上。這表示，波長轉換層與半導體本體的發射射線的前側具有共同的界面。如果波長轉換層布置在半導體本體的發射射線的前側上，則該半導體本體相對于照明設備的尺寸來說一般基本上是點狀射線源，該點狀射線源發出具有優選在CIE標準色度圖的白色范圍中的特定色點的射線。這樣的點狀射線源的射線尤其是適于饋入到光學元件中。

此外還有可能的是，包括至少一種波長轉換物質、但是優選包括兩種波長轉換物質的波長轉換層被布置在照明設備的另一位置處，使得半導體本體的射線貫穿該波長轉換層。該波長轉換層例如可以布置在照明設備的蓋板的朝向半導體本體的背側上。所述蓋板例如是擴散板。

半導體本體可以安裝到部件殼體中。所述部件殼體例如具有凹陷，在該凹陷中固定所述半導體本體。合適的部件殼體例如在文獻WO?02/084749A2中描述，該文獻的公開內容與此相關地通過引用結合于此。如果半導體本體被安裝到部件殼體中，則半導體本體和部件殼體是本身被照明設備包括的光電部件的一部分。

根據照明設備的另一實施例，第一和/或第二波長轉換物質被嵌入到基質材料中。基質材料例如可以具有硅和/或樹脂或者由這些材料的至少之一構成。

具有至少一種波長轉換物質的基質材料可以構造為波長轉換層或者澆注體。

根據照明設備的一個實施方式，波長轉換層具有20μm至200μm之間的厚度，其中包含這兩個邊界。

為了制造該波長轉換層，具有至少一種波長轉換材料的基質材料例如被構造為所述光電部件或者所述照明設備內的層并且然后被硬化。這樣的波長轉換層優選具有20μm至40μm之間的厚度，其中包含這兩個邊界。

可替換地，該波長轉換層還可以被單獨地制造為小板。這樣的小板可以或者同樣具有其中嵌入有至少一種波長轉換物質的顆粒的基質材料，或者例如也被構造為陶瓷。被單獨地制造為小板的波長轉換層優選具有20μm至200μm之間的厚度，其中包含這兩個邊界。

根據照明設備的另一實施方式，第一和/或第二波長轉換物質被嵌入到澆注體中。所述澆注體例如可以引入到部件殼體的凹陷中。在此，所述澆注體通常包封所述半導體本體。