[發(fā)明專利]復(fù)合材料及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980111514.1
• 申請日: 2009-03-26
• 公開（公告）號(hào): CN101981631A
• 公開（公告）日: 2011-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大見忠弘;寺本章伸;石塚雅之;日高宣浩;白方恭
• 申請（專利權(quán)）人: 國立大學(xué)法人東北大學(xué);住友大阪水泥股份有限公司
• 主分類號(hào): H01B3/00
• 分類號(hào): H01B3/00;C08K9/04;H05K1/03
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 朱丹

1.一種復(fù)合材料，是絕緣材料中分散有扁平狀微粒的復(fù)合材料，其特征在于，含有預(yù)先用實(shí)質(zhì)上與所述絕緣材料相同成分的絕緣材料包覆的扁平狀的所述微粒。

2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述微粒的厚度為0.001～5μm、且長度為0.002～10μm。

3.一種復(fù)合材料，是絕緣材料中分散有粒徑0.001～10μm的微粒而形成的復(fù)合材料，其特征在于，含有預(yù)先用實(shí)質(zhì)上與所述絕緣材料相同成分的絕緣材料包覆的所述粒徑的所述微粒。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述微粒含有選自鋁Al、錳Mn、硅Si、鎂Mg、鉻Cr、鎳Ni、鉬Mo、銅Cu、鐵Fe、鈷Co、鋅Zn、錫Sn、銀Ag、鈦Ti及鋯Zr中的至少一種。

5.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述微粒含有選自鎳Ni、坡莫合金Ni-Fe鐵Fe、鐵硅Fe-Si系合金、鐵氮Fe-N系合金、鐵碳Fe-C系合金、鐵硼Fe-B系合金、鐵磷Fe-P系合金、鐵鋁Fe-Al系合金、鐵鋁硅Fe-Al-Si系合金中的至少一種。

6.如權(quán)利要求4所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述微粒是添加了鈦Ti、釩V、鉻Cr、錳Mn、鈷Co、銅Cu、鋅Zn、鈮Nb、鉬Mo、銦In、錫Sn中任意一種以上的金屬元素的金屬粉末。

7.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述微粒含有選自針鐵礦FeOOH、赤鐵礦Fe₂O₃、磁鐵礦Fe₃O₄、錳鋅Mn-Zn鐵氧體、鎳鋅Ni-Zn鐵氧體、鈷Co鐵氧體、錳Mn鐵氧體、鎳Ni鐵氧體、銅Cu鐵氧體、鋅Zn鐵氧體、鎂Mg鐵氧體、鋰Li鐵氧體、錳鎂Mn-Mg鐵氧體、銅鋅Cu-Zn鐵氧體、錳鋅Mn-Zn鐵氧體中的至少一種。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述復(fù)合材料中含有10％體積以上的所述微粒。

9.如權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述絕緣材料含有熱塑性樹脂。

10.如權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述絕緣材料含有熱固性樹脂。

11.如權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述絕緣材料含有合成樹脂或者液相樹脂，所述合成樹脂包含聚酰亞胺樹脂、聚苯并噁唑樹脂、聚苯樹脂、聚苯并環(huán)丁烯樹脂、聚亞芳基醚樹脂、聚硅氧烷樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、聚酯聚氨酯樹脂、氟樹脂、聚烯烴樹脂、聚環(huán)烯烴樹脂、氰酸酯樹脂、聚苯醚樹脂及聚苯乙烯樹脂中的至少一種。

12.如權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，其特征在于，所述絕緣材料包含選自Al₂O₃、SiO₂、TiO₂、2MgO·SiO₂、MgTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃、BaTiO₃、3Al₂O₃·2SiO₂、ZrO₂、SiC、AlN的陶瓷中的至少一種。

13.如權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，是絕緣材料中分散有微粒的復(fù)合材料，其特征在于，在1GHz頻率下的相對(duì)磁導(dǎo)率μr大于1，且損耗正切tanδ為0.05以下。

14.如權(quán)利要求1～13中任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，是絕緣材料中分散有微粒的復(fù)合材料，其特征在于，相對(duì)于使用時(shí)施加的電場，垂直方向和水平方向的介電常數(shù)不同。

15.如權(quán)利要求1～14中任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料，其特征在于，在絕緣材料中分散有微粒的復(fù)合材料中，復(fù)合材料的體積電阻率是5×10⁵Ω·cm以上。