[發明專利]平面帶

無效

• 申請號: 200980111501.4
• 申請日: 2009-03-30
• 公開（公告）號: CN102007068A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 托馬斯·赫茲-赫爾默特·阿爾特巴梅爾;斯蒂芬·戴;克里斯蒂安·郎;彼德·內爾·泰勒;約內山·漢夫納恩
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;B82B1/00;H01L29/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種制造包括多個低維度結構的結構的方法，所述方法包括：

提供柔性元件，所述柔性元件將至少兩個低維度結構連接至襯底，所述柔性元件具有與低維度結構的本體部分的彈性特性不同的彈性特性。

2.根據權利要求1所述的方法，包括：提供低維度結構，以便實質上從襯底表面沿著相應方向延伸。

3.根據權利要求2所述的方法，包括：在襯底上制造低維度結構，使得每個低維度結構實質上從襯底表面沿著相應方向延伸。

4.根據權利要求2或3所述的方法，包括：在襯底上制造低維度結構，使得每個低維度結構實質上垂直于襯底的表面延伸。

5.根據權利要求1、2、3或4所述的方法，其中，提供柔性元件包括：在至少兩個低維度結構中，提供具有與第二部分的彈性特性不同的彈性特性的第一部分，第一部分與第二部分沿著低維度結構處于不同的軸向位置。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，提供柔性元件包括：在至少兩個低維度結構中，使低維度結構的第一部分的橫截面維度小于該低維度結構的第二部分的相應橫截面維度，從而該低維度結構的第一部分包括柔性元件。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，提供柔性元件包括：在至少兩個低維度結構中，使得低維度結構的第二部分的橫截面維度大于該低維度結構的第一部分的相應橫截面維度，從而低維度結構的第一部分包括柔性元件。

8.根據權利要求6所述的方法，包括：將低維度結構的第一部分的圓周部分氧化并去除氧化的部分。

9.根據權利要求6所述的方法，包括：蝕刻低維度結構的第一部分，從而減小所述第一部分的橫截面維度。

10.根據權利要求9所述的方法，包括：在低維度結構上提供蝕刻掩模，所述蝕刻掩模不在低維度結構的第一部分上延伸。

11.根據權利要求10所述的方法，包括：在低維度結構上提供第一掩模層；在第一掩模層上提供第二掩模層；使用第二掩模層作為掩模來蝕刻第一掩模層，從而從低維度結構的第一部分中去除第一掩模層；以及使用第一掩模層作為蝕刻掩模來蝕刻低維度結構。

12.根據權利要求6、7、8、9、10或11所述的方法，其中，低維度結構的第一部分和第二部分具有互不相同的成分。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，在襯底上提供低維度結構包括在形成襯底上形成低維度結構并隨后將低維度結構附著到襯底，其中將低維度結構附著到襯底包括利用粘合材料將低維度結構附著到襯底，所述粘合材料具有比低維度結構低的彈性模量，從而粘合材料形成柔性元件。

14.根據權利要求13所述的方法，包括：將低維度結構與形成襯底分離。

15.根據權利要求13或14所述的方法，其中，粘合材料包括：布置在襯底上的具有低彈性模量的第一層，以及布置在第一層上的具有高屈服強度的第二層。

16.根據前述權利要求中任一項權利要求所述的方法，包括：重新取向結構，以便改變每個低維度結構的本體部分相對于襯底的傾角。

17.根據權利要求16所述的方法，包括：重新取向結構，使得每個低維度結構的本體部分實質上與襯底表面平行。

18.根據權利要求16或17所述的方法，包括：對結構施加具有與襯底平行的非零分量的力，從而重新取向結構。

19.根據權利要求18所述的方法，其中，所述力源自于流體流動。

20.根據權利要求18所述的方法，其中，所述力是機械力。

21.根據權利要求18所述的方法，其中，所述力是靜電力。

22.根據權利要求18所述的方法，其中，所述力源自于表面張力。

23.根據權利要求16至22中任一項權利要求所述的方法，還包括：在重新取向結構的步驟之后將結構粘合到襯底。

24.根據前述權利要求中任一項權利要求所述的方法，其中，低維度結構以矩陣形式被密封。

25.根據前述權利要求中任一項權利要求所述的方法，其中，低維度結構實質上彼此相同。