[發明專利]微流體設備及方法

無效

• 申請號: 200980111246.3
• 申請日: 2009-03-25
• 公開（公告）號: CN101981792A
• 公開（公告）日: 2011-02-23
• 發明（設計）人: H·范佐恩;M·F·吉利斯;C·B·克勞斯;S·卡塔內奧
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: H02K44/04
• 分類號: H02K44/04
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李靜嵐;劉鵬

1.用于泵浦高電導率液體的微流體設備，其包括：

用于容納導電液體、特別是具有高電導率的液體的微流體通道(26；80；101)；

用于生成電場的至少兩個電場電極(21，22；71，72；91，92)；

用于在基本上垂直于所述電場的方向上生成磁場的至少一個磁場電極(21，22；75，76；93，94)；

用于向所述至少兩個電場電極(21，22；71，72；91，92)提供電勢以便生成所述電場的電壓源(23；74；95)；

用于向所述至少一個磁場電極(21，22；75，76；93，94)提供電流以便生成所述磁場的電流源(23；78，79；96，97)，

其中，所述電壓源(23；74；95)和所述電流源(23；78，79；96，97)被適配成分別向所述電極同時提供所述電勢和電流，以便獲得在所述微流體通道(26；80；101)的方向(27；81；99)上作用于高電導率液體的洛倫茲力。

2.如權利要求1所述的微流體設備，

其包括至少兩個磁場電極(21，22；75，76；93，94)。

3.如權利要求2所述的微流體設備，

其中，所述至少兩個電場電極(21，22)和所述至少兩個磁場電極(21，22)是相同的。

4.如權利要求1所述的微流體設備，

其中，所述至少兩個電場電極(21，22；91，92)和所述至少一個磁場電極(21，22；93，94)都被提供在單個基板(25；98)的相同表面上。

5.如權利要求1所述的微流體設備，

其中，所述電極(21，22；51，52)被平行設置。

6.如權利要求1所述的微流體設備，

其中，所述電極(21，22；51，52)被共面設置。

7.如權利要求1所述的微流體設備，

其還包括用于控制所述電壓源(74；95)和所述電流源(78，79；96，97)的控制單元(82；100)，以便分別向所述電極同時提供所述電勢和電流。

8.如權利要求1所述的微流體設備，

其中，所述電壓源和所述電流源是用于提供所述電勢和所述電流的共同電源(23)。

9.如權利要求1所述的微流體設備，

其在所述至少兩個電場電極(61，62)的末端處還包括阻抗元件(64)，特別是電阻器。

10.如權利要求1所述的微流體設備，

其中，所述電極的厚度大于1μm，特別是大于5μm。

11.用于泵浦高電導率液體的方法，其包括以下步驟：

在微流體通道內提供導電液體，特別是具有高電導率的液體；

通過至少兩個電場電極(21，22；71，72；91，92)生成電場；

通過至少一個磁場電極(21，22；75，76；93，94)在基本上垂直于所述電場的方向上生成磁場；

向所述至少兩個電場電極(21，22；71，72；91，92)提供電勢以便生成所述電場；

向所述至少一個磁場電極(21，22；75，76；93，94)提供電流以便生成所述磁場，

其中，向所述電極同時提供所述電勢和所述電流，以便獲得在所述微流體通道的方向上作用于高電導率液體的洛倫茲力。