[發明專利]涂層以及制備涂層的方法無效
| 申請號: | 200980111150.7 | 申請日: | 2009-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN102027155A | 公開(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發明(設計)人: | K·皮肖;M·安德里奇基 | 申請(專利權)人: | 圣維可福斯集團有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/04 | 分類號: | C23C16/04;C23C16/505;C23C16/511;B32B3/26;G02B1/11 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王倫偉;李炳愛 |
| 地址: | 芬蘭*** | 國省代碼: | 芬蘭;FI |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 涂層 以及 制備 方法 | ||
1.在基材上形成的化學氣相法涂層,所述基材置于基本上真空的壓力腔室中,其特征在于所述涂層是圖案化的涂層,優選基本上波紋狀的涂層。
2.根據權利要求1所述的涂層,其特征在于所述涂層的厚度優選在20-5000nm之間。
3.根據權利要求1或2所述的涂層,其特征在于將提供有大量通孔的結構基本上置于所述基材的上方。
4.根據權利要求3所述的涂層,其特征在于所述結構為具有通孔的板。
5.根據權利要求3所述的涂層,其特征在于所述結構為網眼狀結構。
6.根據權利要求3所述的涂層,其特征在于所述結構為狹縫狀結構。
7.根據權利要求1或2所述的涂層,其特征在于將陰極基本上置于所述基材之下,所述陰極具有絕緣結構,所述絕緣結構包括一組彼此被一定距離隔開的導電脊,所述脊與陰極連接。
8.根據權利要求1-7任一項所述的涂層,其特征在于所述涂層是基于SiOx的涂層。
9.根據權利要求1-7任一項所述的涂層,其特征在于所述涂層是基于TiOx的涂層。
10.根據權利要求1-9任一項所述的涂層,其特征在于所述涂層由多個直徑在1-100μm,高度在0.01-0.5μm之間以及所述高度之間的距離在10-500μm之間的層構成。
11.根據權利要求1-10任一項所述的涂層,其特征在于所述基材為透明塑料材料的基材。
12.根據權利要求1-10任一項所述的涂層,其特征在于所述基材為金屬的基材。
13.根據權利要求1-10任一項所述的涂層,其特征在于所述基材為不透明的塑料材料的基材。
14.根據權利要求1-10任一項所述的涂層,其特征在于所述涂層為超疏水性涂層,其水接觸角大于100度。
15.根據權利要求1-14任一項所述的涂層,其特征在于首先在不使用賦予圖案化的形狀的結構的情況下在基材上形成優選厚度為2-10μm的第一層,以及在賦予圖案化的形狀的結構的輔助下在該第一層上形成優選厚度為1-2μm的第二層。
16.根據權利要求11所述的涂層,其特征在于在不使用賦予圖案化的形狀的結構的情況下,在透明塑性材料的基材上形成硬質保護性層,以及在賦予圖案化的形狀的結構的輔助下在該硬質保護性層上形成具有圖案化形狀的第二層。
17.根據權利要求11所述的涂層,其特征在于在透明塑料材料的基材上形成優選厚度為10-15μm的第一層,在該第一層上形成優選厚度為10-100nm的第二層,在不使用賦予圖案化的形狀的結構的情況下在該第二層上形成優選厚度為2-10μm的第三層,以及在賦予圖案化的形狀的結構的輔助下在該第三層上形成優選厚度為1-2μm的第四層。
18.用于沉積圖案化的涂層的方法,其特征在于所述方法包括:
用等離子體增強化學氣相沉積方法,通過圖案化設備將圖案化的涂層直接沉積在彎曲或平面的基材上。
19.根據權利要求18所述的方法,其特征在于所述圖案化設備包括通孔以獲得包含多個凸起的圖案化的涂層。
20.根據權利要求19所述的方法,其特征在于所述凸起的直徑在1-100μm之間,凸起的高度在0.01到0.5μm之間,以及凸起之間的間距在10-500μm之間。
21.形成在基材上形成的化學氣相涂層的方法,在所述方法中,將氣體混合物引入到位于基本上真空的壓力腔室中的基材上,其特征在于所述基材被提供了具有大量通孔的結構,從而在所述具有大量通孔的結構的輔助下,在該基材的表面上形成圖案化的涂層,優選地基本上波紋狀的涂層。
22.根據權利要求18或21所述的方法,其特征在于在基本上真空的壓力腔室中,在等離子體增強化學氣相沉積的輔助下形成所述圖案化的涂層。
23.根據權利要求18或22所述的方法,其特征在于由RF或微波技術產生等離子體,所述基材置于與等離子體產生和移除相同的腔室中。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





