[發(fā)明專利]可噴墨印刷的組合物和掩蔽方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980111124.4 | 申請(qǐng)日： | 2009-03-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101981143A | 公開（公告）日： | 2011-02-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 亞歷山大·格蘭特;塞繆爾·托馬斯·蒙科爾;奈杰爾·安東尼·凱杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 太陽化學(xué)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C09D11/10 | 分類號(hào)： | C09D11/10 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 陳海濤;樊衛(wèi)民 |
| 地址： | 荷蘭*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 噴墨 印刷 組合 掩蔽 方法 | ||
1.一種對(duì)基材表面進(jìn)行修飾的方法，所述方法包括如下步驟：
a)在所述基材上噴墨印刷可輻射固化的掩蔽組合物，所述組合物包含具有活性甲硅烷基的化合物，所述組合物發(fā)生固化以形成堿可除去的圖像；
b)將所述基材上的印刷組合物暴露在輻射下，以形成固化圖像；
c)對(duì)上述基材的未掩蔽區(qū)域進(jìn)行修飾；以及
d)利用堿性溶液對(duì)所述固化圖像進(jìn)行處理，以便使所述固化圖像從所述基材上脫離。
2.權(quán)利要求1的方法，其中在(b)中，對(duì)所述印刷組合物進(jìn)行的固化還包括對(duì)所述印刷組合物進(jìn)行加熱的步驟。
3.權(quán)利要求1或2的方法，其中在步驟(c)中，通過包括利用酸對(duì)所述基材表面進(jìn)行處理的方法，對(duì)所述基材進(jìn)行修飾。
4.權(quán)利要求3的方法，其中在步驟(c)中，利用pH為5.0以下的酸性溶液對(duì)所述基材進(jìn)行處理，并且在所述條件下所述固化圖像仍粘附在所述基材上。
5.權(quán)利要求3或4的方法，其中在步驟(c)中，使用酸對(duì)所述基材進(jìn)行腐蝕。
6.權(quán)利要求5的方法，其中在利用酸進(jìn)行處理時(shí)，將銅層從所述基材表面上腐蝕掉。
7.權(quán)利要求1或2的方法，其中在步驟(c)中，通過包括將所述基材暴露在升高的溫度下的方法，對(duì)所述基材進(jìn)行修飾。
8.權(quán)利要求7的方法，其中所述固化圖像經(jīng)受至少100℃的溫度至少10分鐘而無明顯劣化，且在步驟(c)中通過包括使用100℃以上的溫度的方法對(duì)所述基材進(jìn)行修飾。
9.權(quán)利要求7或8的方法，其中使用等離子氣相沉積法對(duì)所述基材進(jìn)行修飾。
10.權(quán)利要求9的方法，其中在所述基材上沉積導(dǎo)電層。
11.任一項(xiàng)前述權(quán)利要求的方法，其中所述固化膜在堿性溶液中溶解或剝落。
12.一種適合用作掩膜的可輻射固化、可噴墨印刷的組合物，所述組合物包含具有活性甲硅烷基的化合物和不含活性甲硅烷基的可聚合單體。
13.權(quán)利要求12的組合物，其中所述具有活性甲硅烷基的化合物具有單個(gè)活性甲硅烷基。
14.一種適合用作掩膜的可輻射固化、可噴墨印刷的組合物，所述組合物包含具有單個(gè)活性甲硅烷基的化合物。
15.權(quán)利要求14的組合物，其還包含不含活性甲硅烷基的可聚合單體。
16.權(quán)利要求12、13或15中任一項(xiàng)的組合物，其包含至少10wt％的不含活性甲硅烷基的可聚合單體。
17.權(quán)利要求12、13、15或16中任一項(xiàng)的組合物，其中所述不含活性甲硅烷基的可聚合單體是可自由基固化的單體，且所述組合物任選還包含自由基光引發(fā)劑。
18.權(quán)利要求12、13、15或16中任一項(xiàng)的組合物，其中所述不含活性甲硅烷基的可聚合單體是包含可酸固化的官能團(tuán)的可陽離子固化的單體，所述可酸固化的官能團(tuán)不是活性甲硅烷基。
19.權(quán)利要求13或14的組合物，其中所述具有單個(gè)活性甲硅烷基的成分是具有式R1O-Si(-R2)3的硅烷，其中R1和R2獨(dú)立地為C1-4烷基。
20.權(quán)利要求12～18中任一項(xiàng)的組合物，其中所述具有活性甲硅烷基的化合物包含不是活性甲硅烷基的其他可酸固化的官能團(tuán)。
21.權(quán)利要求18或20的組合物，其中所述不是活性甲硅烷基的可酸固化的官能團(tuán)是環(huán)氧官能團(tuán)。
22.權(quán)利要求20的組合物，其中所述具有活性甲硅烷基的化合物是環(huán)氧封端的硅烷。
23.權(quán)利要求12～22中任一項(xiàng)的組合物，其包含陽離子光引發(fā)劑。
24.權(quán)利要求12～23中任一項(xiàng)的組合物，其包含具有活性甲硅烷基的成分，所述活性甲硅烷基具有式X-Si(-OR)3，其中X和R獨(dú)立地為C1-4烷基。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于太陽化學(xué)有限公司，未經(jīng)太陽化學(xué)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980111124.4/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
