[發明專利]適用于下一代接入的吉比特無源光網絡傳輸匯聚擴展

有效

• 申請號: 200980110669.3
• 申請日: 2009-04-14
• 公開（公告）號: CN101983487A
• 公開（公告）日: 2011-03-02
• 發明（設計）人: 羅遠秋;弗蘭克·J·埃芬博格
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H04J14/08
• 分類號: H04J14/08;H04J3/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

交叉引用相關申請

本申請要求將羅遠秋等人于2008年4月21日提交的、申請號為61/046,474、標題為“適用于下一代接入的吉比特無源光網絡傳輸匯聚擴展”的美國臨時專利申請的優先權，其全部內容通過引用結合在本申請文件中。

技術領域

本申請涉及無源光網絡，更具體地，涉及適用于下一代接入的吉比特無源光網絡傳輸匯聚擴展。

背景技術

無源光網絡(PON)是一種提供“最后一公里”網絡接入的系統。PON是一種點到多點網絡，其包括位于中心局的光線路終端(OLT)、光分配網絡(ODN)以及多個位于用戶前端的光網絡單元(ONU)。在某些PON系統中，例如，吉比特無源光網絡(GPON)系統)，下行數據以大約2.5Gbps(吉比特/秒)的數據速率進行廣播，而上行數據的以1.25Gbps的數據速率進行傳輸。但是，隨著業務需求的增長，PON系統的帶寬容量需要有所提高。為了滿足不斷增長的業務需求，新興PON系統，如適用于下一代接入(NGA)的PON系統，其邏輯器件需要進行重配置，以便能夠提供更高的帶寬(例如，大約10Gbps)來傳輸數據幀以及支持更多ONU。

發明內容

在一個實施例中，本發明提供一種裝置，其包括至少一個用于實施以下方法的部件，該方法包括：將數據流封裝到至少一個吉比特無源光網絡(GPON)封裝模式(GEM)幀中，所述GEM幀包括幀頭，所述幀頭與長度至少為大約4個字節的字邊界對齊；將所述GEM幀封裝到GPON傳輸匯聚(GTC)幀中，所述GTC幀包括與所述字邊界對齊的網絡控制管理信息；傳輸所述GTC幀。

在另一實施例中，本發明提供一種裝置，其包括至少一個用于實施以下方法的部件，該方法包括：將數據流封裝到至少一個吉比特無源光網絡(GPON)封裝模式(GEM)幀中，所述GEM幀包括幀頭，所述幀頭與長度至少為大約4個字節的字邊界對齊；將所述GEM幀封裝到GPON傳輸匯聚(GTC)幀中，所述GTC幀包括與所述字邊界對齊的物理層操作管理維護(PLOAM)字段；傳輸所述GTC幀。

在又一實施例中，本發明提供一種裝置，其包括至少一個用于實施以下方法的部件，該方法包括：將數據流封裝到至少一個吉比特無源光網絡(GPON)封裝模式(GEM)幀中，所述GEM幀包括幀頭，所述幀頭與長度至少為大約4個字節的字邊界對齊；將所述GEM幀封裝到GPON傳輸匯聚(GTC)幀中，該GTC幀包括所述字邊界對齊上行動態帶寬報告(DBRu)字段；傳輸所述GTC幀。

在又一實施例中，本發明還提供一種裝置，其包括成幀器和發送器的裝置，其中，該成幀器用于將數據流封裝到至少一個吉比特無源光網絡(GPON)封裝模式(GEM)幀中，以及將所述GEM幀封裝到第一GPON傳輸匯聚(GTC)幀中，所述第一GTC幀包括上行帶寬地圖(US?BWmap)字段，該發送器用于傳輸所述第一GTC幀；其中所述GEM幀包括一幀頭，所述幀頭與長度至少為大約4個字節的字邊界對齊；所述US?BWmap字段的粒度與所述字邊界實質上相等。

在又一實施例中，本發明提供一種方法，其包括：將數據流封裝到至少一個吉比特無源光網絡(GPON)封裝模式(GEM)幀中，所述GEM幀包括幀頭，所述幀頭與大約4個字節整數倍的字邊界對齊；將所述GEM幀封裝到GPON傳輸匯聚(GTC)幀中，所述GTC幀包括具有多個字段的網絡控制和管理信息，所述多個字段分別獨立地與所述字邊界對齊，或者所述字段的組合與所述字邊界對齊。

下面的詳細介紹以及附圖和權利要求將有助于理解本發明的上述及其他特點。

附圖說明

為了更完整地理解本發明，請結合附圖和詳述參考下列簡述，其中相似的附圖標記指的是相似的元件。

圖1是PON一種實施例的示意圖。

圖2示例性地表示下行GPON傳輸匯聚幀的一種實施例。

圖3示例性地表示上行GPON傳輸匯聚幀的一種實施例。

圖4示例性地表示GPON封裝模式幀的一種實施例。

圖5是本申請提供的成幀方法一種實施例的流程圖。

圖6是通用計算機系統一種實施例的示意圖。

具體實施方式

首先，應當理解，雖然下文介紹了一個或多個實施例的實現過程，但本發明涉及的系統和/或方法可以采用任何技術(不管當前是否已知或存在)來實現。本發明絕不僅限于下文所述的闡釋性實施例、附圖和技術，包括本文中說明和介紹的示范設計和實施例；可在所附權利要求及其等效要求的范圍內對本發明進行修改。