[發(fā)明專利]基材蝕刻系統(tǒng)與制程的方法及設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980110364.2
• 申請日: 2009-03-19
• 公開（公告）號: CN101978479A
• 公開（公告）日: 2011-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 夏爾馬·V·帕馬斯;喬恩·C·法;科哈伊德·西拉朱迪茵;伊茲拉·R·高德;詹姆斯·P·克魯斯;斯科特·奧爾斯則維斯基;羅伊·C·南古伊;薩拉弗野特·辛加;道格拉斯·A·布池貝爾格爾;札瑞德·A·李;張春雷
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 王安武;南霆

1.一種在腔室中蝕刻基材的方法，包含下列步驟：

(A)在蝕刻反應(yīng)器中沉積保護(hù)層于第一層上，該第一層位于基材上；

(B)在該蝕刻反應(yīng)器中蝕刻該保護(hù)層，其中在蝕刻該保護(hù)層期間施加第一偏壓功率；

(C)在該蝕刻反應(yīng)器中蝕刻該第一層，其中在蝕刻該第一層期間施加第二偏壓功率；以及

重復(fù)步驟(A)、(B)與(C)，以在該基材中形成輪廓。

2.如專利要求1所述的方法，其中該第一偏壓功率大于該第二偏壓功率。

3.如專利要求1所述的方法，其中該第一偏壓功率包括約2MHz到約13.56MH?z之間的射頻，并且該第二偏壓功率包括約100kHz到約400kHz之間的射頻。

4.如專利要求1所述的方法，還包括將該第一偏壓功率與該第二偏壓功率的至少一者予以脈沖化于約2％到約40％的工作周期中。

5.如專利要求1所述的方法，其中該保護(hù)層是聚合物膜，并且該第一層包括金屬以及硅中至少一者。

6.一種在腔室中蝕刻基材的方法，包含下列步驟：

在沉積制程期間沉積聚合物膜于該基材上；

在第一蝕刻制程期間蝕刻被沉積在該基材上的該聚合物膜；以及

在第二蝕刻制程期間蝕刻該基材，由此在該基材中形成輪廓，其中在該第一蝕刻制程期間施加第一偏壓功率到該基材，以及其中在該第二蝕刻制程期間施加第二偏壓功率到該基材。

7.如專利要求6所述的方法，其中該基材包含多個包括硅、氧與金屬中至少一者的層。

8.如專利要求6所述的方法，其中該第一偏壓功率大于該第二偏壓功率。

9.如專利要求6所述的方法，還包括將該第一偏壓功率與該第二偏壓功率的至少一者予以脈沖化。

10.一種氣體輸送系統(tǒng)，包含：

腔室，其用于處理基材；

第一氣體盤，其通過第一氣體輸送線連通于該腔室，其中該第一氣體輸送線包括第一多個流量控制器；以及

第二氣體盤，其通過第二氣體輸送線連通于該腔室，其中該第二氣體輸送線包括第二多個流量控制器，其中該第一和第二多個流量控制器可選擇地操作來分別引導(dǎo)來自該第一和第二氣體盤的氣體到該腔室且到一個或多個排放口，該一個或多個排放口與該第一和第二氣體輸送線連通。

11.一種供應(yīng)氣體到腔室的方法，包含下列步驟：

從第一氣體盤經(jīng)由第一氣體輸送線供應(yīng)第一氣體到該腔室；

在供應(yīng)該第一氣體到該腔室的同時，從第二氣體盤經(jīng)由第二氣體輸送線引導(dǎo)第二氣體到排放口；以及

引導(dǎo)該第一氣體到該排放口及供應(yīng)該第二氣體到該腔室，其中在將該第二氣體引入該腔室之前從該腔室移除該第一氣體。

12.如專利要求11所述的方法，還包括第一流量控制器，其連通于該第一氣體輸送線，用于引導(dǎo)來自該第一氣體盤的該第一氣體到該腔室。

13.如專利要求12所述的方法，還包括致動該第一流量控制器，以引導(dǎo)來自該第一氣體盤的該第一氣體到該排放口。

14.如專利要求11所述的方法，還包括第二流量控制器，其連通于該第二氣體輸送線，用于引導(dǎo)來自該第二氣體盤的該第二氣體到該排放口。

15.如專利要求14所述的方法，還包括致動該第二流量控制器，以引導(dǎo)來自該第二氣體盤的該第二氣體到該腔室。