[發明專利]屏蔽性蓋加熱器組件有效
| 申請號: | 200980110363.8 | 申請日: | 2009-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN101978475A | 公開(公告)日: | 2011-02-16 |
| 發明(設計)人: | 邁克爾·D·威爾沃斯;大衛·帕拉加斯維勒;瓦倫頓·N·圖杜羅;斯蒂芬·源 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷;南霆 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 屏蔽 加熱器 組件 | ||
1.一種屏蔽性蓋加熱器,包含:
熱傳導底座;
加熱器元件,其設置于所述熱傳導底座上;以及
RF屏蔽件,其將所述加熱器元件夾置在所述RF屏蔽件與所述熱傳導底座之間。
2.根據權利要求1所述的屏蔽性蓋加熱器,還包括:
熱絕緣體,其設置在所述RF屏蔽件上。
3.根據權利要求1所述的屏蔽性蓋加熱器,其中,所述RF屏蔽件包括鋁箔。
4.根據權利要求1所述的屏蔽性蓋加熱器,其中,所述RF屏蔽件包括鋁板,所述鋁板粘附到所述加熱器元件。
5.根據權利要求1所述的屏蔽性蓋加熱器,其中,所述熱傳導底座包括:
溝槽,其容納所述加熱器元件。
6.根據權利要求1所述的屏蔽性蓋加熱器,其中,所述加熱器元件包括:
第一加熱器電路,其設置在所述熱傳導底座的第一部分上;以及
第二加熱器電路,其設置在所述熱傳導底座的第二部分上,其中,所述第一加熱器電路和所述第二加熱器電路通過橋接所述熱傳導底座的所述第一部分和所述第二部分的連接器而耦接。
7.根據權利要求6所述的屏蔽性蓋加熱器,還包含:
電感器線圈,其耦接所述熱傳導底座的所述第一部分和所述第二部分。
8.根據權利要求1所述的屏蔽性蓋加熱器,還包含:
電感器線圈,其耦接到所述熱傳導底座。
9.根據權利要求8所述的屏蔽性蓋加熱器,其中,所述電感器線圈沿著所述熱傳導底座而可重新定位。
10.根據權利要求8所述的屏蔽性蓋加熱器,其中,所述電感器線圈是可變電感器。
11.一種等離子體處理室,包含:
腔室主體;
蓋,其封閉所述腔室主體的內部容積;
襯底支撐件,其設置在所述內部容積內:
線圈,其鄰近所述蓋設置,以將RF功率耦合到所述腔室主體內的氣體;以及
屏蔽性蓋加熱器,其耦接到所述蓋,其中,所述蓋加熱器還包括:
傳導底座;
加熱器元件;以及
RF屏蔽件,其與所述傳導底座夾置所述加熱器元件。
12.根據權利要求11所述的等離子體處理室,其中,所述屏蔽性蓋加熱器還包括:
電感器線圈,其耦接到所述傳導底座,并且其中所述電感器線圈沿著所述傳導底座而可重新定位。
13.根據權利要求11所述的等離子體處理室,其中,所述屏蔽性蓋加熱器還包括:
電感器線圈,其耦接到所述傳導底座,并且其中所述電感器線圈是可變電感器。
14.根據權利要求11所述的等離子體處理室,其中,所述熱傳導底座包括:
溝槽,其容納所述加熱器元件。
15.根據權利要求11所述的等離子體處理室,其中,所述加熱器元件包括:
第一加熱器電路,其設置在所述熱傳導底座的第一部分上;以及
第二加熱器電路,其設置在所述熱傳導底座的第二部分上,其中,所述第一加熱器電路和所述第二加熱器電路通過橋接所述熱傳導底座的所述第一部分和所述第二部分的連接器而耦接。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





