[發明專利]真空處理裝置

有效

• 申請號: 200980110152.4
• 申請日: 2009-03-20
• 公開（公告）號: CN102017095A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 曹生賢;池東俊
• 申請（專利權）人: IPS株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 謝順星

技術領域

本發明涉及真空處理裝置，具體涉及對用于LCD控制板的玻璃等基板進行所相關的蝕刻、蒸發等真空處理的真空處理裝置。

背景技術

真空處理裝置是在形成處理空間的真空腔內設置電極，且通過在真空狀態下向電極輸入電源來形成等離子體，從而對基板支持部上所設置的基板表面進行蒸發(Vacuum?Evaporation)、蝕刻等真空處理工程的裝置。

現有的基板表面上對包含鋁(Al)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、銅(Cu)以及硅(Si)的薄膜進行蝕刻的情況下，對真空處理裝置的處理空間注入三氟化氯(ClF₃)、三氟甲烷(CHF₃)以及三氯化硼(BCl₃)等氣體。

此時，真空處理裝置的真空腔體一般情況下由鋁(Aluminium-Al)或者其合金材質來制得，其內表面一般情況下進行陽極電鍍處理，即形成了三氧化二鋁(Al₂O₃)膜。

可是如上所述的向處理空間注入ClF₃、CHF₃以及BCl₃的情況下，真空腔體內表面上所形成的Al₂O₃膜和ClF₃、CHF₃及BCl₃相互之間發生化學反應而除掉Al₂O₃膜，從而使得對真空腔體的內表面施加損傷。

因此現有的真空處理裝置為對包含了Al、Ti、Ta、Mo、Cu及Si的薄膜進行蝕刻并注入ClF₃、CHF₃以及BCl₃而會對真空腔體的內表面造成損傷并發生擊穿情況，因而會使真空處理工程不穩定并需要對所損傷的部分進行維修或替換等維護及維修操作。

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明的目的在于提供為了解決上述問題，而提供通過在真空腔體的內表面上可拆卸地設置遮蓋部件且該遮蓋部件的表面上進一步形成有與ClF₃、CHF₃以及BCl₃等氣體不發生化學反應的材質的金屬層，從而可防止由ClF₃、CHF₃以及BCl₃等氣體所引起的遮蓋部件表面損傷的真空處理裝置以及在該裝置上使用的遮蓋部件。

本發明的另一目的在于，提供為使真空腔體內所設置的基板支持臺及真空腔體的內表面之間的空間屏蔽，在基板支持臺的側表面以及真空腔體的內表面之間可拆卸地設置屏蔽部件，在其表面上進一步形成有與ClF₃、CHF₃以及BCl₃等氣體不發生化學反應的材質的金屬層，從而可防止由ClF₃、CHF₃以及BCl₃等氣體所引起的屏蔽部件表面損傷的真空處理裝置以及在該裝置上使用的屏蔽部件。

(二)技術方案

為了達到如上所述的本發明的目的，本發明所提供的真空處理裝置包括：

形成等離子體的、形成了用于在矩形基板上進行真空處理的處理空間的、形成了對基板進行支持的基板支持臺的真空腔體；

設置于所述真空腔體的上側的用于對所述處理空間進行氣體供給的氣體供給部；

用于與對所述處理空間進行壓力調整及排氣的排氣系統相連接而設置于所述真空腔體上的排氣口；

為通過所述氣體供給部供給的氣體形成等離子體而在所述真空腔體上設置的用于輸入電源的電源輸入部；

所述真空腔體至少一部分內表面上可拆卸地緊密連接有至少一部分表面上形成有包括W、Ni、W-N、Cr及Mo中任一的涂層的遮蓋部件。

同時，本發明還提供一種真空處理裝置，所述真空處理裝置包括：

形成等離子體的、形成了用于在矩形基板上進行真空處理的處理空間的、形成了對基板進行支持的基板支持臺的真空腔體；

設置于所述真空腔體的上側的用于對所述處理空間進行氣體供給的氣體供給部；

用于與對所述處理空間進行壓力調整及排氣的排氣系統相連接而設置于所述真空腔體上的排氣口；

為通過所述氣體供給部供給的氣體形成等離子體而在所述真空腔體上設置的用于輸入電源的電源輸入部；