[發明專利]具有低帶隙聚合物粘合劑的電壓可切換介電材料或復合物

無效

• 申請號: 200980109972.1
• 申請日: 2009-03-26
• 公開（公告）號: CN101978495A
• 公開（公告）日: 2011-02-16
• 發明（設計）人: R·弗萊明;L·科索斯基;史寧;J·吳
• 申請（專利權）人: 肖克科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01B1/20
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 鐘守期;蘇萌

1.一種含有一種聚合物粘合劑的電壓可切換介電材料組合物，含有兩種或多種類型的聚合物或共聚物的混合物，其中所述聚合物粘合劑的有效帶隙小于2eV。

2.權利要求1的組合物，其中所述聚合物粘合劑中的至少一類聚合物具有足夠低的帶隙以使該聚合物粘合劑的有效帶隙小于2eV。

3.權利要求1的組合物，其中所述聚合物粘合劑中的至少另一類聚合物為環氧化物。

4.一種組合物，其含有：

一種具有小于2eV的有效帶隙的聚合物粘合劑；

一類或多類顆粒組分，包括一類各自具有小于2eV的帶隙的半導電顆粒；

其中所述組合物為(i)在不具有超過特征電壓水平的電壓的情況下為介電性的，并且(ii)在施加所述超過特征電壓水平的電壓的情況下為導電性的。

5.權利要求4的組合物，其中所述半導電顆粒具有微米或納米尺寸。

6.權利要求4的組合物，其中所述各半導電顆粒的帶隙基本等于或小于聚合物粘合劑的帶隙。

7.權利要求4的組合物，其中所述一類或多類顆粒組分包括導電顆粒。

8.權利要求4的組合物，其中除所述帶隙小于2eV的半導電顆粒類別外，所述一類或多類顆粒組分還包括高長寬比的顆粒。

9.權利要求4的組合物，其中所述半導電顆粒包括III-V、II-VI、III-VI和I-III-VI類的化合物半導體，或為III-V、II-VI、III-VI和I-III-VI類的化合物半導體。

10.權利要求9的組合物，其中所述化合物半導體為高長寬比的顆粒。

11.權利要求9的組合物，其中所述化合物半導體包括至少某一濃度的量子點顆粒。

12.權利要求9的組合物，其中所述半導體包括至少某一濃度的納米尺寸的晶體硅。

13.權利要求4的組合物，其中所述聚合物為環氧化物或丙烯酸酯。

14.權利要求4的組合物，其中所述聚合物粘合劑包括聚合物的混合物，其包括至少一種具有足夠低的帶隙以使所述混合物的有效帶隙小于2eV的聚合物。

15.一種裝置，其包含：

電壓可切換介電(VSD)材料的一個保護層，其含有：

一種聚合物粘合劑；

分散于該聚合物中的一定濃度的半導電顆粒，該顆粒各自具有一個基本等于或小于所述聚合物粘合劑帶隙的帶隙。

16.權利要求15的裝置，其中所述濃度的半導電顆粒為微米或納米尺寸的。

17.權利要求16的裝置，其中所述VSD材料除所述濃度的半導電顆粒外還含有一定濃度的導電顆粒、較高帶隙的半導電顆粒或高長寬比顆粒中的一類或多類顆粒。

18.權利要求15的裝置，其中所述帶隙小于2eV的半導體顆粒包括III-V、II-VI、III-VI和I-III-VI類的化合物半導體，或為III-V、II-VI、III-VI和I-III-VI類的化合物半導體。

19.權利要求15的裝置，其中所述帶隙小于2eV的半導體顆粒包括至少某一濃度的量子點顆粒。

20.權利要求15的裝置，其中所述帶隙小于2eV的半導體顆粒包括至少某一濃度的納米尺寸的晶體硅。