[發明專利]凹印滾筒的加工方法和裝置有效
| 申請號: | 200980109964.7 | 申請日: | 2009-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN101977770A | 公開(公告)日: | 2011-02-16 |
| 發明(設計)人: | M·W·烏爾里希 | 申請(專利權)人: | 海爾雕刻系統有限責任兩合公司 |
| 主分類號: | B41C1/045 | 分類號: | B41C1/045;B41C1/05;B41C1/18;B41N3/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 趙辛;汲長志 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 滾筒 加工 方法 裝置 | ||
1.一種凹印滾筒的加工方法,該凹印滾筒具有金屬表面、雕刻在該金屬表面中的穴槽以及在穴槽雕刻時出現的毛刺或熔疤,其特征是,帶有雕刻出的穴槽的該凹印滾筒(4)被浸入電解液槽(14)中以便除去毛刺或熔疤并且該毛刺或熔疤在該電解液槽(14)中被電化學蝕除。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征是,在毛刺或熔疤的電化學蝕除過程中使該凹印滾筒(4)繞其縱軸線轉動。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征是,該凹印滾筒(4)交替地以相反的轉動方向轉動。
4.根據權利要求1至3之一所述的方法,其特征是,該凹印滾筒(4)僅部分浸入該電解液槽(14)。
5.根據權利要求2和4所述的方法,其特征是,該凹印滾筒(4)的從該電解液槽伸出的部分在該凹印滾筒(4)轉動時被覆上穩定完整的電解液膜或電解液泡沫。
6.根據權利要求1至5之一所述的方法,其特征是,在該凹印滾筒(4)和與該凹印滾筒(4)間隔設置在該電解液槽(14)中的反電極(32)上施加直流電壓、脈沖直流電壓或經過整流的交流電壓,其中該凹印滾筒(4)作為陽極接線,該反電極(32)作為陰極接線。
7.根據權利要求1至6之一所述的方法,其特征是,在一個以該凹印滾筒(4)為陽極并以該反電極(32)為陰極的電路(20)中,在電化學蝕除毛刺或熔疤過程中,減小并又增大電流密度。
8.根據權利要求1至7之一所述的方法,其特征是,該凹印滾筒(4)的具有雕刻成的穴槽的金屬表面由銅構成并且在毛刺或熔疤的電化學蝕除之后被電解鍍鉻。
9.根據權利要求1至7之一所述的方法,其特征是,該凹印滾筒(4)的具有雕刻成的穴槽的金屬表面由鉻構成。
10.一種凹印滾筒的加工裝置,該凹印滾筒具有金屬表面、雕刻到該金屬表面中的穴槽以及在穴槽雕刻時出現的毛刺或熔疤,其特征是,具有用于在電解液槽(14)中電化學蝕除毛刺或熔疤的機構(6,8,18,20,32)。
11.根據權利要求10所述的裝置,其特征是,具有用于使該凹印滾筒(4)在該電解液槽(14)中轉動的機構。
12.根據權利要求11所述的裝置,其特征是,使凹印滾筒(4)轉動的該機構包括使該凹印滾筒(4)的轉動方向倒轉的機構。
13.根據權利要求11或12所述的裝置,其特征是,使凹印滾筒(4)轉動的該機構包括用于調節該凹印滾筒(4)的轉速的機構。
14.根據權利要求10至13之一所述的裝置,其特征是,具有用于容放該凹印滾筒(4)的支撐裝置(18),該支撐裝置包括兩個在電化學蝕除該毛刺或熔疤時設置在該電解液槽(14)的液面(46)上方的支架(40),用于容放該凹印滾筒(4)的兩個相對的軸頭。
15.根據權利要求10至14之一所述的裝置,其特征是,用于電化學蝕除毛刺或熔疤的該機構(6,8,18,20,32)包括一個具有直流電壓源或整流器電路(26)的電路(20),該直流電壓源或整流器電路為了電化學蝕除毛刺或熔疤而能長時間或間歇地與浸入電解液槽(14)的且作為陽極接線的凹印滾筒(4)和與該凹印滾筒(4)分隔開地設置在該電解液槽(14)中的且作為陰極接線的反電極(32)相連。
16.根據權利要求15所述的裝置,其特征是,該反電極(32)具有弧形表面,該弧形表面以基本保持不變的間距圍繞該凹印滾筒(4)的周面的一部分延伸。
17.根據權利要求15或16所述的裝置,其特征是,該反電極(32)圍繞該凹印滾筒(4)的周面延伸超過60度角的范圍。
18.根據權利要求15至17之一所述的裝置,其特征是,該凹印滾筒(4)和該反電極(32)之間的間距是可調的。
19.根據權利要求15至18之一所述的裝置,其特征是,具有用于調節在電化學蝕除時在電路(20)流動的電流的電流密度的機構(26)。
20.根據權利要求10至19之一所述的裝置,其特征是,具有抽排在蝕除毛刺或熔疤時出現的氣體的機構。
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