[發(fā)明專(zhuān)利]沉積設(shè)備和電子裝置制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980109933.1
• 申請(qǐng)日: 2009-11-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101978093A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山口述夫;真下公子;長(zhǎng)澤慎也
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 佳能安內(nèi)華股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/34
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/34;H01L21/31
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 張濤

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用于在諸如磁存儲(chǔ)介質(zhì)、半導(dǎo)體裝置或者顯示裝置之類(lèi)的電子裝置的制造處理中沉積材料的沉積設(shè)備以及使用該沉積設(shè)備的電子裝置制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體元件的先進(jìn)的小型化要求越來(lái)越高的沉積特性標(biāo)準(zhǔn)。例如，柵極絕緣膜需要是非常薄的。薄的電極膜或者類(lèi)似物需要穩(wěn)定地形成在非常薄的絕緣膜上。而且，因?yàn)樵谀ぶ谢蛘咴诒∧ぶg的界面處的諸如碳的雜質(zhì)影響元件性能，所以需要減小雜質(zhì)水平。

用作沉積方法之一的濺射方法可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的沉積，這是因?yàn)樵喜幌馛VD方法那樣含有諸如碳的雜質(zhì)。因?yàn)闉R射方法不像CVD方法那樣使用有害的有機(jī)金屬材料，所以濺射方法是有用的，并且不必執(zhí)行用于副產(chǎn)品和未使用原料的除害處理。

例如，在由硅或類(lèi)似物所制成的襯底(將稱(chēng)為“襯底”)上沉積薄膜的濺射沉積方法中，抽空的真空室中的靶保持器保持氣相沉積源，所述氣相沉積源是由待沉積在襯底上的材料制成的所謂的靶。真空室中的襯底保持器支撐襯底。諸如Ar的氣體被引入到真空室中，并且高電壓被施加到靶，產(chǎn)生等離子體。根據(jù)濺射沉積方法，靶材料使用通過(guò)放電等離子體中的帶電粒子進(jìn)行的靶的濺射現(xiàn)象而附著到由襯底保持器所支撐的襯底。通常，等離子體中的陽(yáng)離子進(jìn)入帶負(fù)電荷的靶，從靶濺射靶材料的原子和分子。這些原子和分子稱(chēng)為濺射粒子。濺射粒子附著到襯底，在襯底上形成含有靶材料的膜。

在濺射沉積設(shè)備中，被稱(chēng)為擋板的可自由打開(kāi)的遮蔽板大體上設(shè)在靶與襯底之間。借助該擋板，控制開(kāi)始沉積的定時(shí)以直到真空室中的等離子體狀態(tài)穩(wěn)定才開(kāi)始沉積處理。更具體地，關(guān)閉擋板以直到通過(guò)對(duì)靶施加高電壓所產(chǎn)生的等離子體穩(wěn)定才在襯底上沉積膜。在等離子體穩(wěn)定之后，打開(kāi)擋板以開(kāi)始沉積。通過(guò)這樣使用擋板控制沉積的開(kāi)始，使用穩(wěn)定的等離子體可以以較好的可控性在襯底上沉積膜，所以可以沉積高質(zhì)量的膜。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1中所公開(kāi)的等離子體處理設(shè)備在真空室中包括：晶片保持器，其具有用于支撐晶片的板和多個(gè)晶片提升銷(xiāo)；運(yùn)動(dòng)擋板，其與晶片平行地運(yùn)動(dòng)；和擋板收納單元，其用于在使用等離子體處理襯底時(shí)收納運(yùn)動(dòng)擋板。

引用列表

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本專(zhuān)利特開(kāi)No.2004-193360

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的問(wèn)題

然而，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中所公開(kāi)的傳統(tǒng)的等離子體處理設(shè)備由于通過(guò)擋板的打開(kāi)/關(guān)閉操作改變從真空室排出的氣體的排氣傳導(dǎo)能力而在真空室中發(fā)生壓力波動(dòng)。壓力波動(dòng)導(dǎo)致等離子體變化。如上所述，擋板在沉積開(kāi)始時(shí)打開(kāi)。因而，壓力波動(dòng)使等離子體在沉積開(kāi)始時(shí)不穩(wěn)定。

解決問(wèn)題的手段

為了解決上述問(wèn)題而作出本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的是提供一種沉積技術(shù)，其能夠通過(guò)在擋板操作時(shí)抑制從真空室到排氣室的排氣傳導(dǎo)能力的變化并且穩(wěn)定真空室中的壓力而執(zhí)行高質(zhì)量的沉積。

為了實(shí)現(xiàn)以上目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種沉積設(shè)備，其包括：

處理室，其構(gòu)造成執(zhí)行沉積處理；

排氣室，其經(jīng)由排氣口連接到處理室；

排氣裝置，其連接到排氣室，并且經(jīng)由排氣室抽空處理室；

襯底保持器，其布置在處理室中，并且支撐襯底；

沉積單元，其布置在處理室中，并且在襯底上沉積膜；

擋板，其構(gòu)造成運(yùn)動(dòng)到遮蔽狀態(tài)或者收回狀態(tài)，在所述遮蔽狀態(tài)中擋板將襯底保持器和沉積單元彼此遮蔽，在所述收回狀態(tài)中擋板從襯底保持器和沉積單元之間收回；

驅(qū)動(dòng)單元，其構(gòu)造成驅(qū)動(dòng)擋板以將擋板設(shè)定在遮蔽狀態(tài)或者收回狀態(tài)中；

擋板收納單元，其經(jīng)由開(kāi)口連接到處理室，并且將處于收回狀態(tài)中的擋板收納到排氣室中；以及

遮蔽構(gòu)件，其圍繞擋板收納單元的開(kāi)口形成，并且構(gòu)造成遮蓋排氣室的排氣口，

其中，遮蔽構(gòu)件在擋板收納單元的開(kāi)口與沉積單元之間的預(yù)定高度的位置處具有第一排氣路徑，所述第一排氣路徑與排氣室的排氣口連通。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種使用沉積設(shè)備的電子裝置制造方法，所述沉積設(shè)備包括：

處理室，其構(gòu)造成執(zhí)行沉積處理；

排氣室，其經(jīng)由排氣口連接到處理室；

排氣裝置，其連接到排氣室，并且經(jīng)由排氣室抽空處理室；

襯底保持器，其布置在處理室中，并且支撐襯底；

沉積單元，其布置在處理室中；

擋板，其構(gòu)造成運(yùn)動(dòng)到遮蔽狀態(tài)或者收回狀態(tài)，在所述遮蔽狀態(tài)中擋板將襯底保持器和沉積單元彼此遮蔽，在所述收回狀態(tài)中擋板從襯底保持器和沉積單元之間收回；

驅(qū)動(dòng)單元，其構(gòu)造成驅(qū)動(dòng)擋板以將擋板設(shè)定在遮蔽狀態(tài)或者收回狀態(tài)中；