[發明專利]用于基于天然纖維素纖維或合成纖維或其組合使用并產生紙張作為用于具有使用有源半導體氧化物的存儲器的自支持型結場效應晶體管中的電荷的物理支撐體和存儲介質的工藝

無效

• 申請號: 200980109924.2
• 申請日: 2009-03-20
• 公開（公告）號: CN101999181A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: R·費拉奧·德·帕伊瓦·馬丁斯;E·M·考里亞·弗圖納托;L·M·納內斯·彼雷拉;P·M·坎迪多·巴昆哈;N·F·德·奧利維拉·考里亞
• 申請（專利權）人: 科學與技術學院里斯本新大學
• 主分類號: H01L51/10
• 分類號: H01L51/10
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種用于制造具有非易失性存儲器的場效應半導體有源電子或光電子器件的工藝，其特征在于其在所述器件的電介質中包括基于基于天然纖維素的纖維、合成纖維或其組合的薄膜，稱為紙張(2)。

2.根據前述權利要求所述的工藝，其特征在于所述膜(2)還充當所述器件的將其變成可自支持器件的基板。

3.根據權利要求1或2所述的工藝，其特征在于其包括在紙張的兩個表面上以離散或連續的方式沉積的有機或無機成因的一個或更多個附加組件，其具有采取單體、組成或多堆疊串聯結構的自適應層(4)的金屬(3、5)、半導體(1)、絕緣體(6)。

4.根據權利要求3所述的工藝，其特征在于其包括在接近于室溫的溫度下處理的所述組件，并且在于可以可選地將這些組件退火至200攝氏度。

5.根據權利要求3所述的工藝，其特征在于其包括借助于以下方法中的一個或更多個的組件沉積：真空中的電阻性熱蒸發或借助于電子槍；連續電流或射頻或超高頻的磁控管輔助或非輔助陰極濺射；通過經由射頻或超高頻的輔助或非輔助化學汽相分解；通過噴墨印刷；通過化學乳化。

6.根據權利要求3所述的工藝，其特征在于其沉積包括有機或無機材料、達到30μm的高導電性金屬或半導體氧化物的一個或更多個導電組件(3、5)。

7.根據權利要求3所述的工藝，其特征在于其沉積包括在1nm與5μm之間的共價無機材料、或單體或化合物離子材料、或有機材料、優選地為硅合金或鋅基多化合物氧化物的一個或更多個半導體組件(1)。

8.根據權利要求3所述的工藝，其特征在于其包括作為半導體的離子氧化物，其負責允許溝道區的末端區域處的涂層纖維和有源半導體氧化物的互連，其被用作漏極和源極(5)區，優選地由鋅和銦合金制成。

9.根據權利要求3所述的工藝，其特征在于其結合了金屬電極(3)、纖維紙張(2)、半導體(1)結構，其中，基于天然或合成纖維素的紙張或其組合同時充當能夠允許纖維、有源半導體或紙張半導體界面內的電荷存儲感生的元件和電介質。

10.根據權利要求3所述的工藝，其特征在于在沉積最終器件的任何其它組件之前為所述基于天然或合成纖維素的紙張或其組合提供鈍化或自適應層(4)。

11.根據前述權利要求所述的工藝，其特征在于所述鈍化或自適應層(4)包括共價電介質材料或高電阻離子材料，特別地包括在1nm至500nm之間的厚度，比組成紙張的纖維厚度低兩個數量級以上。

12.根據權利要求3所述的工藝，其特征在于由達到30μm的電介質(6)來容納所述最終器件。

13.根據權利要求1或2所述的工藝，其特征在于所述膜(2)包括具有自發電極化能力的通過再生、溶解或其組合產生的天然或合成纖維素纖維，其中，所述電介質具有獨立于施加的任何電場的準永久性電荷，表現為與駐極體類似。

14.根據前述權利要求的工藝，其特征在于所述紙張(2)的纖維素纖維被嵌入具有優選地通過添加諸如鋁的陽離子物質來控制的電負性的樹脂或離子膠中。

15.一種包括非易失性存儲器的場效應半導體有源電子或光電子器件，其特征在于其在所述器件的電介質中包括基于天然或合成纖維素纖維或其組合的薄膜，稱為紙張(2)。

16.根據前述權利要求所述的器件，其特征在于所述膜(2)還充當所述器件的基板，將其變成可自支持的。

17.根據權利要求15或16所述的器件，其特征在于其還包括有機或無機成因的一個或更多個組件，具有采取組合或多層串聯結構的半導體(1)、絕緣體(6)或自適應層(4)金屬的電特征，所述組件被離散地或連續地沉積在紙張兩個表面上。

18.根據權利要求17所述的器件，其特征在于所述一個或更多個導電組件(3、5)包括有機或無機材料、金屬或達到30μm的高導電性半導體氧化物。

19.根據權利要求17所述的器件，其特征在于所述一個或更多個半導體組件(1)包括在1nm與30μm之間的共價無機材料或單體或化合物或有機離子材料、優選地為硅合金或鋅基多化合物氧化物。