[發明專利]用于提供白色光輸出的寬帶發光器件燈

有效

• 申請號: 200980109299.1
• 申請日: 2009-02-13
• 公開（公告）號: CN101999169A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: G·布蘭迪斯
• 申請（專利權）人: 克里公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金曉

1.一種用于提供白色光的多芯片發光器件LED燈，包括：

寬帶LED芯片，包括多量子阱有源區，所述多量子阱有源區包括多個交替的有源層和勢壘層，所述多個有源層分別包括半導體化合物的相對濃度不同的至少兩種元素并且分別被配置為發射具有多個不同的發射波長的光，所述多個不同的發射波長的光組合提供白色光的外觀。

2.如權利要求1所述的燈，其中，所述寬帶LED芯片發射的光的光譜分布具有大于約35納米(nm)的半峰全寬FWHM。

3.一種用于提供白色光的多芯片發光器件LED燈，包括：

第一寬帶LED芯片，包括多量子阱有源區，該多量子阱有源區包括第一多個交替的有源層和勢壘層，所述第一多個有源層分別包括第一半導體化合物的相對濃度不同的至少兩種元素并且分別被配置為在第一波長范圍上發射具有多個不同的發射波長的光；以及

第二寬帶LED芯片，包括多量子阱有源區，該多量子阱有源區包括第二多個交替的有源層和勢壘層，所述第二多個有源層分別包括第二半導體化合物的相對濃度不同的至少兩種元素并且分別被配置為在第二波長范圍上發射具有多個不同的發射波長的光，其中所述第二波長范圍包括大于所述第一波長范圍的波長，

其中，所述第二半導體化合物具有比所述第一半導體化合物窄的帶隙，以及其中，所述第一和第二寬帶LED芯片發射的光組合提供白色光的外觀。

4.如權利要求3所述的多芯片LED燈，其中，所述第一和第二寬帶LED芯片中的至少一個發射的光的光譜分布具有大于約35納米(nm)的半峰全寬FWHM。

5.如權利要求3所述的多芯片LED燈，其中，與所述第二寬帶LED芯片發射的光相關聯的非輻射能量損失小于所述第一寬帶LED芯片發射的光的非輻射能量損失。

6.如權利要求3所述的多芯片LED燈，其中，所述第一寬帶LED芯片發射的光限定了所述第一波長范圍上的第一光譜分布，其中，所述第二寬帶LED芯片發射的光限定了所述第二波長范圍上的第二光譜分布，以及其中，和第二光譜分布的相應半峰半寬值的和。

7.如權利要求3所述的多芯片LED燈，進一步包括：

第三寬帶LED芯片，包括多量子阱有源區，該多量子阱有源區包括第三多個交替的有源層和勢壘層，所述第三多個有源層分別包括第三半導體化合物的相對濃度不同的至少兩種元素并且分別被配置為在第三波長范圍上發射具有多個不同的發射波長的光，其中所述第三波長范圍包括大于所述第二波長范圍的波長，

其中所述第三半導體化合物具有比所述第二半導體化合物窄的帶隙，以及其中，所述第一、第二和第三寬帶LED芯片發射的光組合提供白色光的外觀。

8.如權利要求7所述的多芯片LED燈，其中，與所述第三寬帶LED芯片發射的光相關聯的非輻射能量損失小于所述第二寬帶LED芯片發射的光的非輻射能量損失。

9.如權利要求7所述的多芯片LED燈，其中，所述第一寬帶LED芯片發射的光限定所述第一波長范圍上的第一光譜分布，其中，所述第二寬帶LED芯片發射的光限定所述第二波長范圍上的第二光譜分布，其中，所述第三寬帶LED芯片發射的光限定所述第三波長范圍上的第三光譜分布，其中，所述第一和第二光譜分布的相應中心波長之間的分隔不大于所述第一和第二光譜分布的相應半峰半寬值的和，以及所述第二和第三光譜分布的相應中心波長之間的分隔不大于所述第二和第三光譜分布的相應半峰半寬值的和。

10.如權利要求7所述的多芯片LED燈，其中，所述第一波長范圍對應于藍色光，其中，所述第二波長范圍對應于綠色光，以及其中，所述第三波長范圍對應于紅色光。

11.如權利要求10所述的多芯片LED燈，其中，所述第一、第二和第三波長范圍中的每一個大于約30納米(nm)。

12.如權利要求3所述的多芯片LED燈，其中，所述第一和/或第二寬帶LED芯片發射的光限定所述第一和/或第二波長范圍上的非對稱光譜分布。

13.如權利要求3所述的多芯片LED燈，其中，與在所述第一和/或第二波長范圍內的波長處發射的光相關聯的能量不大于與所述第一和第二寬帶LED芯片中的一個在所述第一和/或第二波長范圍內的另一波長處發射的光相關聯的能量的約125％。