[發明專利]等離子生成裝置及等離子處理裝置

有效

• 申請號: 200980109110.9
• 申請日: 2009-03-25
• 公開（公告）號: CN101970710A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 椎名祐一
• 申請（專利權）人: 日本磁性技術株式會社
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;H05H1/32
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 史雁鳴

1.一種等離子生成裝置，其特征在于，具有在真空環境下進行真空電弧放電、從目標表面產生等離子的等離子發生部，和使由上述等離子發生部產生的等離子行進的等離子行進路，在上述等離子行進路上配置將產生等離子時從陰極作為副產品產生的陰極材料粒子(下面稱為“微滴”)除去的微滴除去部，此微滴除去部，由與上述等離子發生部連接的等離子直行管；與上述等離子直行管呈彎曲狀地連接的第一等離子行進管；與上述第一等離子行進管的終端相對于其管軸以規定彎曲角傾斜配置地連接的第二等離子行進管；與上述第二等離子行進管的終端呈彎曲狀地連接并從等離子出口排出等離子的第三等離子行進管構成，上述等離子從上述目標表面到達被處理物的合計長度L被設定成滿足900mm≤L≤1350mm。

2.根據權利要求1所述的等離子生成裝置，其特征在于，在從上述第三等離子行進管的等離子出口不呈直線狀地透視上述第一等離子行進管的等離子出口側的位置，呈幾何學地配置了上述第二等離子行進管。

3.根據權利要求2所述的等離子生成裝置，其特征在于，在設相對于從上述第三等離子行進管的等離子入口側的管截面上端到上述第一等離子行進管的等離子出口側的管截面下端而言的仰角為θ，設相對于從上述第三等離子行進管的等離子出口側的管截面下端到上述第二等離子行進管的等離子出口側的管截面上端而言的仰角為θ₀時，滿足θ≥θ₀。

4.根據權利要求1、2或3所述的等離子生成裝置，其特征在于，在上述等離子直行管、上述第一等離子行進管、上述第二等離子行進管及上述第三等離子行進管的每一個上設置產生等離子輸送用磁場的等離子輸送用磁場發生組件，在上述第一等離子行進管及/或上述第二等離子行進管上附設使上述等離子輸送用磁場偏向的偏向磁場發生組件，通過由上述偏向磁場發生組件產生的偏向磁場，使等離子流偏向管中心側。

5.根據權利要求4所述的等離子生成裝置，其特征在于，上述偏向磁場發生組件由配置在上述第一等離子行進管及/或上述第二等離子行進管的外周的磁軛和纏繞在該磁軛上的磁場線圈構成，上述磁軛在管軸方向被進行滑動調整，在周方向被進行轉動調整，及/或在管軸方向被進行擺動調整。

6.根據權利要求4所述的等離子生成裝置，其特征在于，上述等離子輸送用磁場發生組件由纏繞在上述等離子直行管、上述第一等離子行進管、上述第二等離子行進管及上述第三等離子行進管的各個管外周的磁場線圈構成。

7.根據權利要求6所述的等離子生成裝置，其特征在于，纏繞在上述第二等離子行進管的管外周的磁場線圈由相對于其管外周沿傾斜軸纏繞成橢圓狀的磁場線圈構成。

8.根據權利要求1至7中的任一項所述的等離子生成裝置，其特征在于，在上述等離子直行管、上述第一等離子行進管、上述第二等離子行進管及上述第三等離子行進管的各個管內壁面上植設微滴捕集板，上述植設區域在管內壁面積的70％以上。

9.根據權利要求1至8中的任一項所述的等離子生成裝置，其特征在于，將上述第二等離子行進管做成擴徑管，將上述第一等離子行進管做成與上述擴徑管的等離子導入側始端連接的導入側縮徑管，將上述第三等離子行進管做成與上述擴徑管的等離子排出側終端連接的排出側縮徑管。

10.根據權利要求1至9中的任一項所述的等離子生成裝置，其特征在于，在上述第二等離子行進管和上述第三等離子行進管的連接部，設置了將從上述第二等離子行進管向上述第三等離子行進管供給的等離子流在行進方向進行集束整流的整流磁場發生組件及/或使上述等離子流向其截面方向進行偏向振動的偏向振動磁場發生組件。

11.根據權利要求8所述的等離子生成裝置，其特征在于，植設在上述第二等離子行進管內的微滴捕集板與上述第二等離子行進管的管壁被電氣性地隔斷；設置了對上述微滴捕集板施加偏壓電壓的偏壓電壓施加組件。

12.根據權利要求1至11中的任一項所述的等離子生成裝置，其特征在于，在上述第二等離子行進管內配設能夠沿管軸方向變更設置位置的一個以上的窗孔，上述窗孔具有規定面積的開口部。

13.一種等離子處理裝置，其特征在于，具備權利要求1至12中的任一項所述的等離子生成裝置和設置了被處理物的等離子處理部，將上述第三等離子行進管的等離子出口與上述等離子處理部的等離子導入口連接。