[發(fā)明專利]有機場致發(fā)光元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980108794.0
• 申請日: 2009-02-27
• 公開（公告）號: CN101990718A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發(fā)明（設計）人: 福松敬之;市橋郁美;宮崎浩;小田敦
• 申請（專利權(quán)）人: 新日鐵化學株式會社;財團法人山形縣產(chǎn)業(yè)技術(shù)振興機構(gòu)
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;C07D487/04;C07D493/14;C09K11/06
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 賈成功

1.一種有機場致發(fā)光元件用空穴注入材料，其特征在于，其包含下述通式(1)表示的羧酸衍生物，

其中，X表示O或N-R，R表示H或1價的取代基。

2.一種有機場致發(fā)光元件，其是在對置的陽極和陰極之間具有至少1層的發(fā)光層和空穴注入層的有機場致發(fā)光元件，其特征在于，具有含有下述通式(1)表示的羧酸衍生物的空穴注入層，

其中，X表示O或N-R，R表示H或1價的取代基。

3.如權(quán)利要求2所述的有機場致發(fā)光元件，其特征在于，在含有通式(1)表示的羧酸衍生物的空穴注入層或與該空穴注入層鄰接的層的至少一層中，含有電離電位為6.0eV以下的空穴傳輸性材料。

4.如權(quán)利要求3所述的有機場致發(fā)光元件，其中，與空穴注入層鄰接的層為空穴傳輸層或發(fā)光層。

5.如權(quán)利要求3所述的有機場致發(fā)光元件，其中，電離電位為6.0eV以下的空穴傳輸性材料為芳胺類空穴傳輸性材料。