[發明專利]具有電阻性存取組件的非易失性存儲器

有效

• 申請號: 200980108593.0
• 申請日: 2009-03-11
• 公開（公告）號: CN101971264A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 劉峻;邁克爾·P·瓦奧萊特
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;H01L27/115
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種設備，其包含：

存儲器元件，其經配置以存儲信息；以及

存取組件，其經配置以當在跨越所述存儲器元件及所述存取組件的第一方向上的第一電壓差超過第一電壓值時允許電流傳導通過所述存儲器元件，且當在跨越所述存儲器元件及所述存取組件的第二方向上的第二電壓差超過第二電壓值時阻止電流傳導通過所述存儲器元件，其中所述存取組件包括排除硅的材料。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述存取組件的電流對電壓特性包括所述第一電壓值與所述第二電壓值之間的滯后切換區。

3.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一值大于所述第二值。

4.根據權利要求1所述的設備，其中所述存取組件包括傳導路徑，所述傳導路徑是當所述第一電壓差超過所述第一電壓值時由所述存取組件的所述材料的離子及空位中的一者形成。

5.根據權利要求4所述的設備，其中當所述第二電壓差超過所述第二電壓值時所述傳導路徑為不連續的。

6.根據權利要求1所述的設備，其中所述存取組件及所述存儲器元件具有圓柱形結構。

7.一種設備，其包含：

存儲器元件，其經配置以存儲信息，所述存儲器元件包括單極切換存儲器材料；以及

存取組件，其與所述存儲器元件串聯耦合于第一電極與第二電極之間且經配置以允許電流傳導通過所述存儲器元件，所述存取組件包括雙極切換材料。

8.根據權利要求7所述的設備，其中所述雙極切換材料包括離子傳導硫族化物、二元金屬氧化物及鈣鈦礦氧化物中的一者。

9.根據權利要求8所述的設備，其中所述單極切換存儲器材料包括硫族化物材料。

10.根據權利要求8所述的設備，其中所述離子傳導硫族化物包括第一硒化鍺(GeSe)層、硒化銀(AgSe)層、第二硒化鍺(GeSe)層、銀層及第三硒化鍺(GeSe)層。

11.根據權利要求8所述的設備，其中所述離子傳導硫族化物包括第一硒化鍺(GeSe)層、硒化錫(SnSe)層、第二硒化鍺(GeSe)層、銀層及第三硒化鍺(GeSe)層。

12.根據權利要求10所述的設備，其中所述第一硒化鍺(GeSe)層具有約15納米(nm)的厚度，所述硒化銀(AgSe)層具有約47nm的厚度，所述第二硒化鍺(GeSe)層具有約15nm的厚度，所述銀層具有約20nm的厚度，且所述第三硒化鍺(GeSe)層具有約10nm的厚度。

13.根據權利要求8所述的設備，其中所述二元金屬氧化物包括氧化鉿(HfO)、氧化鈮(NbO)、氧化鋁(AlO)、氧化鎢(WO)、氧化鉭(TaO)、氧化鈦(TiO)、氧化鋯(ZrO)、氧化鐵(FeO)及氧化鎳(NiO)中的一者。

14.根據權利要求8所述的設備，其中所述鈣鈦礦氧化物包括氧化鍶鈦(SrTiO)、氧化鍶鋯(SrZrO)及氧化鋇鈦(BaTiO)中的一者。

15.一種設備，其包含：

第一裝置層級，其包括耦合于第一電極與第二電極之間的第一存儲器單元；以及第二裝置層級，其堆疊于所述第一裝置層級上方，所述第二裝置層級包括耦合于第三電極與第四電極之間的第二存儲器單元，所述第一存儲器單元及所述第二存儲器單元中的每一者包括存儲器元件及耦合到所述存儲器元件的存取組件，其中所述存儲器元件包括單極切換存儲器材料，且所述存取組件包括排除硅的材料。

16.根據權利要求15所述的設備，其進一步包含耦合到所述第一電極的第一導電線、耦合到所述第四電極的第二導電線以及耦合到所述第二電極與所述第三電極的第三導電線。

17.根據權利要求16所述的設備，其中所述第一導電線大體上平行于所述第二線，且其中所述第三線大體上垂直于所述第一線及所述第二線。

18.根據權利要求16所述的設備，其中所述第一存儲器單元經配置以當所述第一線上的信號的電壓值大于所述第三線上的信號的電壓值時在所述第一電極與所述第二電極之間傳導電流，且其中所述第二存儲器單元經配置以當所述第三線上的信號的電壓值大于所述第二線上的信號的電壓值時在所述第三電極與所述第四電極之間傳導電流。