[發(fā)明專利]振蕩器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980108564.4 | 申請日： | 2009-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN101971485A | 公開（公告）日： | 2011-02-09 |
| 發(fā)明（設計）人： | 佐藤健一;山本智晃 | 申請（專利權）人： | 旭化成微電子株式會社 |
| 主分類號： | H03B5/32 | 分類號： | H03B5/32;H03K3/03;H03K5/007 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 振蕩器 | ||
1.一種振蕩器，具有用于使振子振蕩的振蕩電路，該振蕩器的特征在于，具備負載電路作為上述振子的負載，該負載電路具有感性并且對振蕩振幅進行限制。
2.根據權利要求1所述的振蕩器，其特征在于，
上述負載電路包含至少一個有源元件。
3.根據權利要求2所述的振蕩器，其特征在于，
上述有源元件是晶體管。
4.根據權利要求3所述的振蕩器，其特征在于，
根據上述晶體管的閾值電壓來實現對上述振蕩振幅的限制。
5.根據權利要求1所述的振蕩器，其特征在于，
上述負載電路的輸出阻抗的電抗成分為正。
6.根據權利要求1所述的振蕩器，其特征在于，
上述負載電路與上述振子的至少一個端子相連接。
7.根據權利要求1所述的振蕩器，其特征在于，
上述負載電路與上述振子并聯(lián)連接。
8.根據權利要求1至5中的任一項所述的振蕩器，其特征在于，
上述負載電路具有：
NPN雙極性晶體管，其發(fā)射極與上述振子的端子相連接，集電極被提供第一規(guī)定電壓；
電阻成分，其一端被提供第二規(guī)定電壓，另一端與上述NPN雙極性晶體管的基極相連接；以及
電容成分，其被設于上述NPN雙極性晶體管的發(fā)射極與基極之間。
9.根據權利要求1至5中的任一項所述的振蕩器，其特征在于，
上述負載電路具有：
NPN雙極性晶體管，其集電極與上述振子的端子相連接，發(fā)射極被提供第三規(guī)定電壓；
電阻成分，其被設于上述NPN雙極性晶體管的集電極與基極之間；以及
電容成分，其被設于上述NPN雙極性晶體管的發(fā)射極與基極之間。
10.根據權利要求1至5中的任一項所述的振蕩器，其特征在于，
上述負載電路具有：
PNP雙極性晶體管，其發(fā)射極與上述振子相連接，集電極被提供第一規(guī)定電壓；
電阻成分，其一端被提供第二規(guī)定電壓，另一端與上述PNP雙極性晶體管的基極相連接；以及
電容成分，其被設于上述PNP雙極性晶體管的發(fā)射極與基極之間。
11.根據權利要求1至5中的任一項所述的振蕩器，其特征在于，
上述負載電路具有：
PNP雙極性晶體管，其集電極與上述振子相連接，發(fā)射極被提供第三規(guī)定電壓；
電阻成分，其被設于上述PNP雙極性晶體管的集電極與基極之間；以及
電容成分，其被設于上述PNP雙極性晶體管的發(fā)射極與基極之間。
12.根據權利要求1至5中的任一項所述的振蕩器，其特征在于，
上述負載電路具有：
MOS晶體管，其漏極與上述振子相連接，源極被提供第四規(guī)定電壓；
電阻成分，其被設于上述MOS晶體管的漏極與柵極之間；以及
電容成分，其被設于上述MOS晶體管的源極與柵極之間。
13.根據權利要求12所述的振蕩器，其特征在于，
上述MOS晶體管是N型MOS晶體管。
14.根據權利要求12所述的振蕩器，其特征在于，
上述MOS晶體管是P型MOS晶體管。
15.根據權利要求1至5中的任一項所述的振蕩器，其特征在于，
上述負載電路具有：
MOS晶體管，其源極與上述振子相連接，漏極被提供第五規(guī)定電壓；
電阻成分，其一端被提供第六規(guī)定電壓，另一端與上述MOS晶體管的柵極相連接；以及
電容成分，其被設于上述MOS晶體管的源極與柵極之間。
16.根據權利要求15所述的振蕩器，其特征在于，
上述MOS晶體管是N型MOS晶體管。
17.根據權利要求15所述的振蕩器，其特征在于，
上述MOS晶體管是P型MOS晶體管。
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