[發明專利]無需光刻膠或干蝕刻而形成圖案化硬掩膜(RFP)的工藝順序

無效

• 申請號: 200980108171.3
• 申請日: 2009-02-05
• 公開（公告）號: CN101965626A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: 斯里尼瓦斯·D·內曼尼;尚卡·文卡塔拉曼;艾莉·Y·伊恩
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種使用紫外光來圖案化硬掩膜的方法，該方法包括：

在一沉積腔室內，沉積一硬掩模層到一基板上；

將部分該硬掩模層暴露在紫外光下，其中被紫外光曝光的硬掩模部分在該硬掩模層上形成一曝光區域圖案；及

蝕刻該硬掩模層，其中蝕刻可移除該硬掩模層的未曝光部份。

2.如權利要求1所述的方法，還包括退火該硬掩模層。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述退火是選自由蒸氣退火、熱退火、電感耦合等離子體退火、電容耦合等離子體退火、紫外光退火、電子束退火、酸氣相催化劑退火、堿氣相催化劑退火及微波退火組成的群組。

4.如權利要求2所述的方法，其中所述退火是在該硬掩模被隨后曝露在紫外光下之前發生的。

5.如權利要求2所述的系統，其中所述退火是在蝕刻該硬掩模之后發生的。

6.如權利要求2所述的方法，其中所述退火是在包含有一惰性氣體的氣體氛圍下發生的。

7.如權利要求2所述的方法，其中所述退火是在包含有一種選自N₂、Ar、O₂、H₂O、NH₃、N₂/H₂或N₂O的氣體的氣體氛圍下發生的。

8.如權利要求1所述的方法，還包括在蝕刻后，對該硬掩膜提供一等離子體處理。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述等離子體是電容耦合等離子體或電感耦合等離子體。

10.如權利要求8所述的方法，其中所述等離子體處理是在包含有一選自N₂、Ar、O₂、H₂O、NH₃、N₂/H₂或N₂O的氣體的氣體氛圍下發生的。

11.如權利要求1所述的方法，其中所述紫外光包括波長小于或等于348nm的光。

12.如權利要求1所述的方法，其中所述蝕刻包括濕蝕刻。

13.如權利要求12所述的方法，其中所述濕蝕刻包括一蝕刻劑，其選自HF、NH₄OH、SCl或RCA。

14.如權利要求1所述的方法，其中所述硬掩模層包括氧化硅。

15.如權利要求1所述的方法，其中所述硬掩模層是使用旋涂、化學氣相沉積、原子層沉積或物理氣相沉積的工藝所沉積而成的。

16.如權利要求1所述的方法，其中所述基板包括一選自下列的基板：硅基板、III-V族復合基板、硅/鍺基板、磊晶基板、絕緣層上覆硅基板、顯示器基板、液晶顯示器基板、等離子體顯示器基板、電致發光燈基板和發光二極管基板。

17.一種硬掩模沉積與圖案化系統，其包括一沉積腔室和一紫外光源，該沉積與圖案化系統包括：

沉積構件，用來在該沉積腔室中沉積一硬掩模層到一基板上；

曝光構件，用來使部分硬掩模層暴露在紫外光下，其中該紫外光可依據一圖案來使該硬掩模層的多個部分曝光；及

移除構件，用來移除該硬掩模層上的未曝光部分。

18.如權利要求17所述的硬掩模沉積與圖案化系統，還包括退火構件，用來退火該硬掩模層。

19.如權利要求18所述的硬掩模沉積與圖案化系統，其中所述退火是選自蒸氣退火、熱退火、電感耦合等離子體退火、紫外光退火、電子束退火、酸氣相催化劑退火、堿氣相催化劑退火或微波退火。

20.如權利要求18所述的硬掩模沉積與圖案化系統，其中所述退火是在該硬掩模隨后被曝露在紫外光下之前發生的。

21.如權利要求18所述的硬掩模沉積與圖案化系統，其中所述退火是在蝕刻該硬掩模之后發生的。

22.如權利要求18所述的硬掩模沉積與圖案化系統，其中所述退火是在一包含有一惰性氣體的氣體氛圍下發生的。