[發(fā)明專利]無需光刻膠或干蝕刻而形成圖案化硬掩膜(RFP)的工藝順序

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980108171.3
• 申請(qǐng)日: 2009-02-05
• 公開（公告）號(hào): CN101965626A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 斯里尼瓦斯·D·內(nèi)曼尼;尚卡·文卡塔拉曼;艾莉·Y·伊恩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;G03F7/00
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種使用紫外光來圖案化硬掩膜的方法，該方法包括：

在一沉積腔室內(nèi)，沉積一硬掩模層到一基板上；

將部分該硬掩模層暴露在紫外光下，其中被紫外光曝光的硬掩模部分在該硬掩模層上形成一曝光區(qū)域圖案；及

蝕刻該硬掩模層，其中蝕刻可移除該硬掩模層的未曝光部份。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括退火該硬掩模層。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述退火是選自由蒸氣退火、熱退火、電感耦合等離子體退火、電容耦合等離子體退火、紫外光退火、電子束退火、酸氣相催化劑退火、堿氣相催化劑退火及微波退火組成的群組。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述退火是在該硬掩模被隨后曝露在紫外光下之前發(fā)生的。

5.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述退火是在蝕刻該硬掩模之后發(fā)生的。

6.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述退火是在包含有一惰性氣體的氣體氛圍下發(fā)生的。

7.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述退火是在包含有一種選自N₂、Ar、O₂、H₂O、NH₃、N₂/H₂或N₂O的氣體的氣體氛圍下發(fā)生的。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在蝕刻后，對(duì)該硬掩膜提供一等離子體處理。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述等離子體是電容耦合等離子體或電感耦合等離子體。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述等離子體處理是在包含有一選自N₂、Ar、O₂、H₂O、NH₃、N₂/H₂或N₂O的氣體的氣體氛圍下發(fā)生的。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述紫外光包括波長小于或等于348nm的光。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述蝕刻包括濕蝕刻。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述濕蝕刻包括一蝕刻劑，其選自HF、NH₄OH、SCl或RCA。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硬掩模層包括氧化硅。

15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硬掩模層是使用旋涂、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積或物理氣相沉積的工藝所沉積而成的。

16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基板包括一選自下列的基板：硅基板、III-V族復(fù)合基板、硅/鍺基板、磊晶基板、絕緣層上覆硅基板、顯示器基板、液晶顯示器基板、等離子體顯示器基板、電致發(fā)光燈基板和發(fā)光二極管基板。

17.一種硬掩模沉積與圖案化系統(tǒng)，其包括一沉積腔室和一紫外光源，該沉積與圖案化系統(tǒng)包括：

沉積構(gòu)件，用來在該沉積腔室中沉積一硬掩模層到一基板上；

曝光構(gòu)件，用來使部分硬掩模層暴露在紫外光下，其中該紫外光可依據(jù)一圖案來使該硬掩模層的多個(gè)部分曝光；及

移除構(gòu)件，用來移除該硬掩模層上的未曝光部分。

18.如權(quán)利要求17所述的硬掩模沉積與圖案化系統(tǒng)，還包括退火構(gòu)件，用來退火該硬掩模層。

19.如權(quán)利要求18所述的硬掩模沉積與圖案化系統(tǒng)，其中所述退火是選自蒸氣退火、熱退火、電感耦合等離子體退火、紫外光退火、電子束退火、酸氣相催化劑退火、堿氣相催化劑退火或微波退火。

20.如權(quán)利要求18所述的硬掩模沉積與圖案化系統(tǒng)，其中所述退火是在該硬掩模隨后被曝露在紫外光下之前發(fā)生的。

21.如權(quán)利要求18所述的硬掩模沉積與圖案化系統(tǒng)，其中所述退火是在蝕刻該硬掩模之后發(fā)生的。

22.如權(quán)利要求18所述的硬掩模沉積與圖案化系統(tǒng)，其中所述退火是在一包含有一惰性氣體的氣體氛圍下發(fā)生的。