[發(fā)明專利]高Q值金屬化線圈體(電感)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980107738.5
• 申請日: 2009-03-06
• 公開（公告）號: CN101970380A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發(fā)明（設計）人: K·赫爾曼
• 申請（專利權）人: 陶瓷技術股份公司
• 主分類號: C04B41/88
• 分類號: C04B41/88;H01F27/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉春元;盧江

技術領域

本發(fā)明涉及陶瓷材料制的物體，帶有由至少一種導電材料(例如鎢玻璃或者鉬玻璃化合物)形成的金屬化基層(Grundmetallisierung)和粘性耐腐蝕的導電表層。

背景技術

這樣的物體往往由抗磁的氧化物材料制成，一般地說帶有3-15μm厚的鎢玻璃或鉬玻璃化合物的金屬化基層或金屬層，接著用鎳或鎳金的焊接能力層覆蓋，總共大致1-5μm。

其缺點是，出現(xiàn)嚴重的能量損失。

對抗振蕩系統(tǒng)衰減損失的與頻率有關的阻抗用Q＝1/R×√L/C來評估，

式中Q＝品質(zhì)，一般稱為Q-值或Q-系數(shù)

R＝總阻抗

L＝電感

C＝電容。

高的Q-系數(shù)意味著能量損失小。用一個較小的與頻率有關的總阻抗R(包含歐姆電阻、接觸電阻、寄生電容)可以提高Q-系數(shù)，以降低能量損失。這是技術上所希望的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的任務在于，提供一種在能量損失方面得到改善的，亦即，提高Q-系數(shù)的按照權利要求1前序部分所述的物體和這樣一種物體的制造方法。

按照本發(fā)明，這個任務用權利要求1的特征解決。

該表層含有/帶有至少一個功能層，后者由電阻率比表層的導電材料和其他組成部分更低的一種和/或多種金屬組成，以此降低金屬層的總電阻抗，提高物體的Q值。

在一個實施例中，該表層由至少兩層組成。這是針對對該物體提出的要求。

金屬化基層最好含有至少一種耐火金屬，例如鎢和鉬。

耐火金屬是高熔點、廉金屬，第四族(鈦、鋯和鉿)、第五族(釩、鈮和鉭)以及第六族(鉻、鉬和鎢)。其熔點高于鉑的熔點(1772℃)。

耐火金屬在室溫下由于鈍化耐腐蝕性相對較高。有利的是，耐火金屬不僅熔點高，而且熱膨脹系數(shù)低，而且與鋼相比具有高的導熱性和導電性。

在按照本發(fā)明的一個實施變型方案中，該金屬化基層由鎢玻璃或鉬玻璃化合物組成。

該表層最好由鎳層和/或金層組成。

在按照本發(fā)明的設計方案中，在表層的各層之間安排至少一個功能層。該功能層的功能可以分散在不同的層上，只有所有功能層共同作用才有意義。

包含在該表層中的鎳層最好具有0.5-2μm的厚度。

包含在該表層中的鎳層最好具有4至10×10^-8歐姆·米，最好7×10^-8歐姆·米的電阻率。

一個推薦的實施例的特征在于，該電阻率低的金屬功能層是銅層。

在按照本發(fā)明的一個設計方案中，該銅層的厚度為1-10μm。

該銅層的電阻率宜為1.0至2.6×10^-8歐姆·米，最好1.8×10^-8歐姆·米。

陶瓷材料宜為氧化鋁，最好是96％的氧化鋁。

在一個特定的實施例中，省去金屬化基層，而該表層實現(xiàn)其功能。

該物體最好用作線圈體或電感。

下面描述一個推薦的實施例和及其制造方法，其中該物體是一個線圈體，由抗磁氧化物材料組成，帶有鎢玻璃或者鉬玻璃化合物的金屬化基層和一個由鎳層和金層組成的表層。按照本發(fā)明，在鎳層和金層之間還設置至少另一層，亦即，電阻率低的金屬功能層。

通過這另一個電阻率低的層(功能層)，降低金屬層的總電阻抗，提高線圈體或帶有線圈繞組的整個電路的Q-值。

該鎳層的厚度為0.5-2μm，和/或電阻率為4至10×10^-8歐姆·米，7×10^-8歐姆·米尤佳。

在這個實施例中，該另一層(功能層)是表層厚度為1-10μm和/或電阻率為1.0至2.6×10^-8歐姆·米，最好1.8×10^-8歐姆·米的銅層。

在這個設計方案中，該抗磁氧化物材料是氧化鋁，最好96％氧化鋁。

這種類型的抗磁氧化物材料構成的線圈體的制造方法是，該線圈體涂敷有鎢玻璃金屬層，并對該金屬層進行焙燒，覆蓋鎳層和在其上淀積金層，其特征在于，在該鎳層上首先至少敷設另一個電阻率低的金屬層，接著才淀積金層。

該鎳層最好進行陰極鍍銅。

在按照本發(fā)明的改進方案中，鎳層用陰極鍍銅至1至10μm的厚度。

作為抗磁氧化物材料最好使用氧化鋁，96％氧化鋁尤佳。

用鎢玻璃或者鉬玻璃或玻璃化合物形成金屬化基層之后，如上所述，首先敷設一個薄鎳層(電阻率最好為7×10^-8歐姆·米)，其厚0.5-2μm。