[發(fā)明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980107710.1
• 申請日: 2009-03-02
• 公開（公告）號: CN101960588A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發(fā)明（設計）人: 吉川則之;福田敏行;古屋敷純也;絲岡敏昌;宇辰博喜
• 申請（專利權）人: 松下電器產業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體裝置，其包括：

具有外部端子和元件搭載部的基材；

搭載在所述元件搭載部上的半導體元件；

電連接所述外部端子和所述半導體元件的連接部；

覆蓋所述半導體元件和所述連接部的第一樹脂；

其中，作為所述基材和所述第一樹脂的邊界面的端部的邊界線中、至少存在于所述基材以及所述第一樹脂被切斷的切斷面的部分由被覆層覆蓋。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

在所述切斷面，所述基材所形成的部分存在比所述第一樹脂所形成的部分更向外突出的部分。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述基材是具有所述元件搭載部和所述外部端子的基板。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，

所述第一樹脂覆蓋所述基板的搭載所述半導體元件的表面的一部分。

5.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，

所述連接部是金屬細線或者突起塊。

6.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，

所述基板為矩形板狀，

所述外部端子配置在所述基板的相對置的兩邊，

所述切斷面形成所述基板的未配置所述外部端子的相對置的兩邊。

7.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，

所述切斷面包括曲面。

8.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，

所述被覆層完全覆蓋所述第一樹脂和所述基板的邊界線。

9.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述元件搭載部是壓料墊，

存在于所述切斷面的所述邊界線是所述外部端子和所述第一樹脂的邊界線。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其中，

在所述外部端子存在由第二樹脂支承的部分，

在所述切斷面還存在作為所述外部端子和所述第二樹脂的邊界面的端部的第二樹脂邊界線。

11.如權利要求1～10中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述第一樹脂是透光性樹脂，

所述被覆層的透過率為85％以上。

12.如權利要求1～11中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述被覆層的折射率為1.8以下。

13.一種半導體裝置的制造方法，其包括：

在具有貫通孔且在該貫通孔形成有外部端子的基板連結體上搭載半導體元件的工序；

將所述半導體元件和所述外部端子的一部分電連接的工序；

用樹脂密封所述半導體元件和所述外部端子的一部分的工序；

切削所述基板連結體在厚度方向上的一部分和所述樹脂，使作為基板連結體和所述樹脂的邊界面的端部的邊界線重新露出的露出工序X；

形成覆蓋所述邊界線的被覆層的工序；

切斷在所述露出工序X中未被切削而剩余的所述基板連結體在厚度方向上的剩余部分而使所述基板連結體形成各個基板的工序。

14.如權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述貫通孔為狹縫狀，且在所述基板連結體上形成多個且相互平行，

所述邊界線與所述貫通孔呈狹縫狀延伸的方向大致成直角。

15.如權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述露出工序X是用剖面為U字形的刀片進行切削的工序。

16.如權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述露出工序X是用側面帶錐度的刀片進行切削的工序。

17.一種半導體裝置的制造方法，其包括：

將半導體元件搭載到作為具有壓料墊和外部端子的引線框的基材的所述壓料墊上的工序；

將所述半導體元件和所述外部端子電連接的工序；

用第一樹脂密封所述半導體元件和所述外部端子的工序；

切削所述外部端子在厚度方向上的一部分和所述第一樹脂，使作為所述外部端子和所述第一樹脂的邊界面的端部的邊界線露出的露出工序Y；

形成覆蓋所述邊界線的被覆層的工序；

切斷在所述露出工序Y中未被切削而剩余的所述外部端子在厚度方向上的剩余部分的工序。

18.如權利要求17所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述外部端子具有金屬層和由第二樹脂構成的第二樹脂層的雙層結構部分，

所述露出工序Y是切削所述第一樹脂、所述金屬層以及所述第二樹脂層的一部分，使作為所述金屬層與所述第一樹脂的邊界面的端部的邊界線和作為所述金屬層與所述第二樹脂層的邊界面的端部的第二樹脂的邊界線露出的工序。