[發明專利]太陽能電池的制造方法無效
| 申請號: | 200980107703.1 | 申請日: | 2009-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN101965640A | 公開(公告)日: | 2011-02-02 |
| 發明(設計)人: | D·雷迪;C·萊德霍爾姆 | 申請(專利權)人: | 索萊克山特公司 |
| 主分類號: | H01L31/00 | 分類號: | H01L31/00 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;龔頤雯 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 制造 方法 | ||
1.一種光伏器件的制造方法,該方法包括:
提供包括一定長度的柔性箔的基板,
形成一組多層,所述多層包括在一部分基板上的光伏器件,其中
所述多層的至少一層包括吸收體層,且
所述吸收體層包括至少一種II-VI族化合物。
2.根據權利要求1所述的方法,其中:
所述一組多層包括電極層、吸收體層、窗口層和TCO層。
3.根據權利要求1所述的方法,其中:
所述基板為透明的。
4.根據權利要求1所述的方法,其中:
所述基板包括金屬,且所述基板為不透明的。
5.根據權利要求1所述的方法,該方法進一步包括:
連續移動該一定長度的柔性箔經過能夠形成一層的至少一個沉積源,其中
使用能夠被加熱或冷卻的至少一個涂布鼓傳送所述箔。
6.根據權利要求1所述的方法,該方法進一步包括:
在自由跨距結構中連續移動該一定長度的柔性箔經過能夠形成一層的至少一個沉積源。
7.根據權利要求6所述的方法,其中:
該一定長度的柔性箔具有第一面和與第一面相對的第二面,以及
形成一組多層包括在第一面和第二面上形成至少一層。
8.根據權利要求1所述的方法,其中:
當連續移動基板經過能夠形成一層的至少一個沉積源時,基本上同時形成電極層、吸收體層、窗口層和TCO層。
9.根據權利要求1所述的方法,其中:
當連續移動基板經過能夠形成一層的至少一個沉積源時,
在基板上形成電極層,
在電極層之后形成吸收體層,
在吸收體層之后形成窗口層,以及
在吸收體層之后形成TCO層。
10.根據權利要求9所述的方法,該方法進一步包括:
連續移動基板經過能夠形成一層的至少一個沉積源,其中
使用至少一個能夠被加熱或冷卻的涂布鼓傳送所述箔。
11.根據權利要求9所述的方法,其中:
連續移動具有自由跨距結構的基板經過能夠形成一層的至少一個沉積源。
12.根據權利要求1所述的方法,該方法進一步包括:
至少一個獨立地選自由退火、CdCl2處理、硒化、劃線、激光圖案化和機械圖案化組成的組的步驟。
13.根據權利要求1所述的方法,其中:
所述吸收體層包括CdTe。
14.一種光伏器件,其由如權利要求1所述方法制造。
15.一種光伏器件的制造方法,該方法包括:
提供包括一定長度的柔性箔的基板,
連續移動具有自由跨距結構的基板經過能夠形成一層的至少一個沉積源,以及
形成一組多層,所述多層包括在一部分基板上的光伏器件,其中:該一定長度的柔性箔具有第一面和與第一面相對的第二面,并且形成一組多層包括在第一面和第二面上形成至少一個層。
16.根據權利要求14所述的方法,其中:
所述一組多層包括電極層、吸收體層、窗口層和TCO層。
17.根據權利要求16所述的方法,其中:
所述吸收體層包括選自由II-VI族、I-III-VI族和IV族化合物組成的組的材料。
18.根據權利要求17所述的方法,其中:
所述吸收體層包括CdTe。
19.根據權利要求17所述的方法,其中:
所述吸收體層包括CIGS。
20.根據權利要求17所述的方法,其中:
所述吸收體層包括選自由非晶硅、微晶硅、微結晶硅、晶體硅和鍺化硅組成的組的材料。
21.根據權利要求15所述的方法,其中:
所述基板為透明的。
22.根據權利要求15所述的方法,其中:
所述基板包括金屬,且所述基板為不透明的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





