[發明專利]熱處理方法

無效

• 申請號: 200980107216.5
• 申請日: 2009-03-16
• 公開（公告）號: CN101965630A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: 張仁九;李裕進;金東濟
• 申請（專利權）人: TG太陽能株式會社
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊

技術領域

本發明涉及一種熱處理方法。特別涉及在熱處理工序中為了防止基板變形，以形成于基板上的薄膜相互接觸的狀態層疊基板且在所層疊的基板上放置荷重來防止基板變形的熱處理方法。

背景技術

使用于半導體、平板顯示器以及太陽能電池的制造的退火(annealing)裝置，是承擔為了對蒸鍍在像硅片、玻璃這樣的基板上的規定薄膜實施結晶化、相變化等工序而所必需的熱處理階段的裝置。

例如，將液晶顯示器以及薄膜型結晶硅太陽能電池中蒸鍍在玻璃基板上的非晶質硅結晶化為多晶硅的硅結晶化裝置，是代表性的退火裝置。通常，為了非晶質硅的結晶化，最少需要550至600℃的溫度。

即，通常，退火裝置為對形成于基板上的薄膜加熱的熱處理裝置，通過退火裝置，基板也與薄膜同樣地被加熱。

但是，通常的熱處理方法存在熱處理工序結束之后的冷卻過程中因基板和薄膜之間的熱膨脹率的差異而發生基板翹曲現象的問題。尤其是，在使用像平板顯示器以及太陽能電池這樣的熔點比較低的玻璃基板的情況下，基板的翹曲現象更是成為問題，這種基板的翹曲現象直接導致生產率性的下降。

圖1是表示根據現有技術的熱處理方法的問題點的圖，其中，(a)是表示熱處理之前的基板狀態的圖；(b)是因熱處理而變形的基板狀態的圖。

如圖1的(a)所示，在玻璃基板10上例如形成有非晶質硅薄膜12的狀態下，進行結晶化熱處理工序。如果在圖1的(a)狀態下進行結晶化熱處理工序，則如圖1的(b)所示，由于基板10和硅12的熱膨脹率相互不同，因此存在熱處理工序結束之后的冷卻過程中基板向熱膨脹率較小的一側彎曲且變形的問題。

發明內容

本發明是為了解決上述問題而做出的，其目的在于提供一種熱處理方法，在熱處理工序中，以形成于基板上的薄膜相互接觸的狀態層疊基板且在所層疊的基板上放置荷重，從而可以防止基板變形。

為了達到上述目的，根據本發明的熱處理方法的特征在于，包括：(a)在第一基板上層疊第二基板的步驟；以及(b)在上述第二基板上層疊荷重的步驟，上述第一基板和上述第二基板被層疊成薄膜之間相接觸。

另外，為了達到上述目的，根據本發明的另一個熱處理方法的特征在于，包括：(a)在第一基板上層疊第二基板的步驟；以及(b)在上述第二基板上層疊荷重的步驟，并且層疊成上述第一基板的薄膜與上述第二基板的下部面接觸。

另外，為了達到上述目的，根據本發明的另一個熱處理方法的特征在于，包括：(a)在第一基板上層疊第二基板的步驟；以及(b)在上述第二基板上層疊荷重的步驟，并且層疊成上述第二基板的薄膜與上述第一基板的下部面接觸。

另外，為了達到上述目的，根據本發明的另一個熱處理方法的特征在于，包括：(a)準備第一組的第一基板和第二基板的步驟；(b)在上述第一組的第一基板上層疊上述第一組的第二基板的步驟；(c)準備第二組的第一基板和第二基板的步驟；(d)在上述第一組的第二基板上層疊第二組的第一基板的步驟；(e)在上述第二組的第一基板上層疊上述第二組的第二基板的步驟；以及(f)在上述第二組的第二基板上層疊荷重的步驟，并且上述組內的第一基板和第二基板被層疊成薄膜之間相接觸，上述組之間的第一基板和第二基板被層疊成薄膜之間不接觸。

上述荷重可以為石英板。

還可以包括在上述(a)步驟結束之后在上述第二基板上繼續層疊追加基板的步驟。

還可以包括在上述(e)步驟結束之后在上述第二組的第二基板上繼續層疊追加組的第一基板和第二基板的步驟

在上述組之間的第一基板和第二基板之間可以設置分離板。

上述分離板可以由石英構成。

在上述分離板的表面上可以形成凹凸部。

根據本發明，在熱處理工序中，以形成于基板上的薄膜相互接觸的狀態層疊基板且在所層疊的基板上放置荷重，因此，具有能夠防止基板變形的效果。

另外，根據本發明，能夠防止在熱處理工序中引起的基板變形，從而具有提高平板顯示器以及太陽能電池的生產率的效果。

另外，根據本發明，通過在形成于基板上的薄膜相互接觸的狀態下對多個基板執行熱處理工序，因此，熱處理作業量增加而平板顯示器以及太陽能電池的生產率提高，從而具有制造單價低廉的效果。

附圖說明

圖1是表示根據現有技術的熱處理方法的問題點的圖，其中，(a)是表示熱處理之前的基板狀態的圖；(b)是因熱處理而變形的基板狀態的圖；

圖2是表示根據本發明的第一實施例的熱處理方法的構成的圖；