[發明專利]利用KELVIN探針分析檢查靜電卡盤的方法有效
| 申請號: | 200980107037.1 | 申請日: | 2009-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN101971316A | 公開(公告)日: | 2011-02-09 |
| 發明(設計)人: | 阿芒·阿沃揚;石洪;約翰·多爾蒂 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 周文強;李獻忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 kelvin 探針 分析 檢查 靜電 卡盤 方法 | ||
1.一種檢查靜電卡盤(ESC)的方法,該ESC具有用于半導體晶片的介電支撐表面,該方法包括:
利用Kelvin探針掃描該介電支撐表面以獲得表面電勢映射;
對比該表面電勢映射與基準Kelvin探針表面電勢映射以確定該ESC是否通過檢查。
2.根據權利要求1所述的方法,其中該ESC是新的或再修復的。
3.根據權利要求1所述的方法,其中該基準Kelvin探針表面電勢映射通過利用該Kelvin探針掃描ESC的基準介電支撐表面而生成。
4.根據權利要求1所述的方法,其中該ESC是Coulombic?ESC或Johnsen-Rahbek?ESC。
5.根據權利要求1所述的方法,其中該介電支撐表面由Al2O3組成。
6.根據權利要求1所述的方法,其中該ESC是Johnsen-RahbekESC;以及該介電支撐表面由94%Al2O3、4%SiO2、1%TiO2和1%CaO以及微量MgO,Si、Ti、Ca和Mg組成。
7.根據權利要求1所述的方法,其中該ESC是Coulombic?ESC;以及該介電支撐表面由大于或等于99%Al2O3組成。
8.根據權利要求1所述的方法,其中該ESC進一步包括金屬基底,該介電支撐表面覆蓋該金屬基底。
9.根據權利要求1所述的方法,其中該電介質表面包括燒結的層壓板,包括在兩個電介質層之間的圖案化的耐火材料電極。
10.根據權利要求8所述的方法,其中該基底金屬包括RF和DC功率輸入、用于起頂銷的通孔、氦氣通道、用于溫度控制流體循環的通道和溫度感應裝置。
11.根據權利要求1所述的方法,其中該掃描在室溫條件下執行。
12.根據權利要求1所述的方法,進一步包括將該ESC安裝在等離子蝕刻室中。
13.根據權利要求12所述的方法,進一步包括在該ESC上支撐晶片,并使該晶片經受等離子蝕刻。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于朗姆研究公司,未經朗姆研究公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980107037.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





