[發明專利]磁記錄介質的制造方法、磁記錄介質和磁記錄再生裝置

無效

• 申請號: 200980106506.8
• 申請日: 2009-02-16
• 公開（公告）號: CN101960518A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 福島正人;坂脇彰;山根明
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/65;G11B5/82;G11B5/855
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;陳海紅

技術領域

本發明涉及在磁記錄再生裝置(硬盤驅動器)等中所使用的磁記錄介質的制造方法、磁記錄介質和磁記錄再生裝置的改良。

本申請要求基于在2008年2月28日在日本申請的專利申請2008-047630號的優先權，其內容援引到本申請中。

背景技術

近年來磁記錄再生裝置、軟性磁盤裝置、磁帶裝置等的應用范圍得到顯著增大，在其重要性增加的同時，對于這些裝置中所使用的磁記錄介質，不斷謀求其記錄密度的顯著提高。特別是MR磁頭和PRML技術導入以來，面記錄密度的上升更為激烈，近年來還導入了GMR磁頭、TMR磁頭等，繼續以每年約100％的速度增加。對于這些磁記錄介質，要求今后進一步實現高記錄密度化，為此，要求實現磁性層的高頑磁力化和高信噪比(SNR)、高分辨力。另外，近年也在繼續著下述努力：在提高線記錄密度的同時，通過增加磁道密度來使面記錄密度升高。

但是，在最新的磁記錄再生裝置中，磁道密度達到了110kTPI。然而，若將磁道密度提高下去，則相鄰的磁道間的磁記錄信息相互干擾，其邊界區域的磁化遷移區域成為噪聲源，容易產生損害SNR的問題。這直接導致比特錯誤率(Bit?Error?rate)的降低，因此成為提高記錄密度的障礙。

因此，為了提高面記錄密度，必須使磁記錄介質上的各記錄比特的尺寸成為更微細的尺寸，對各記錄比特要確保盡可能大的飽和磁化和磁性膜厚。然而，若將記錄比特微細化下去，則每一比特的磁化最小體積變小，產生由于由熱搖擺導致的磁化反轉而使記錄數據消失的問題。

另外，由于磁道間距離接近，因此對于磁記錄再生裝置要求精度極高的磁道伺服技術，為了寬幅地進行記錄，并且盡可能排除來自相鄰磁道的影響，再生一般采用比記錄時窄地進行的方法。但是，該方法雖然能夠將磁道間的影響抑制在最小限度，但難以充分得到再生輸出，因此存在難以確保充分的SNR的問題。

作為解決這樣的熱搖擺的問題和確保SNR、或者確保充分的輸出的方法之一，曾進行了下述嘗試：在記錄介質表面形成沿磁道的凹凸，使記錄磁道相互物理地分離，由此提高磁道密度。以下將這樣的技術稱為分離磁道法，將通過該方法制成的磁記錄介質稱為分離磁道介質。另外，也有制造將同一磁道內的數據區域進一步分割而成的所謂圖案介質的嘗試。

但是，作為分離磁道介質的一例，已知：在表面形成有凹凸圖案的非磁性基板上形成磁性層，形成物理性地分離的磁記錄磁道和伺服信號圖案而成的磁記錄介質(例如參照專利文獻1)。

該磁記錄介質是在表面具有多個凹凸的基板的表面上隔著軟磁性層形成強磁性層，在該強磁性層的表面形成了保護膜的磁記錄介質。該磁記錄介質在凸部區域形成有與周圍物理性地分隔開的磁記錄區域。根據該磁記錄介質，由于能夠抑制在軟磁性層的磁疇壁發生，因此難以出現熱搖擺的影響，也沒有相鄰的信號間的干擾，所以能夠形成噪聲少的高密度磁記錄介質。

另一方面，分離磁道法，已知有：在形成了包含幾層薄膜的磁記錄層后，物理性地形成磁道的方法；以及，在基板表面上形成了凹凸圖案后，進行磁記錄層的薄膜形成的方法(例如參照專利文獻2、專利文獻3)。

另外，公開了下述方法：向預先形成的磁性層注入氮、氧等的離子，或者對該磁性層照射激光，從而使其局部的磁特性變化而形成分離磁道介質的磁道間區域的方法(專利文獻4～6)。

專利文獻1：日本特開2004-164692號公報

專利文獻2：日本特開2004-178793號公報

專利文獻3：日本特開2004-178794號公報

專利文獻4：日本特開平5-205257號公報

專利文獻5：日本特開2006-209952號公報

專利文獻6：日本特開2006-309841號公報

發明內容

如前所述，在具有磁分離了的磁記錄圖案的所謂分離磁道介質和圖案介質的制造工序中，存在通過將磁性層暴露于使用了氧或鹵素的反應性等離子體或者反應性離子而形成磁記錄圖案的情況，和通過離子銑削等對磁性層進行加工以使得其具有磁記錄圖案的情況。在為這些制造方法的情況下，包括：在磁性層的表面上形成掩模層并通過光刻技術對該掩模層進行圖案化的工序。另外，作為對掩模層進行圖案化的其他的方法，也有使用采用了在表面形成有凹凸形狀的印模(stamp)的納米壓印(nanoimprint)技術的情況。在這樣的情況下，在掩模層之上設置抗蝕劑層，采用納米壓印技術向該抗蝕劑層上轉印凹凸圖案，使用該所轉印出的凹凸圖案，通過離子銑削等對掩模層進行加工。