[發明專利]可抵抗還原等離子體的含釔陶瓷涂層

有效

• 申請號: 200980106482.6
• 申請日: 2009-02-13
• 公開（公告）號: CN102084020A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 詹尼弗·Y·孫;賀小明;肯尼思·S·柯林斯;托馬斯·格瑞斯;賽恩·撒奇;元潔;徐理;段仁官
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C4/10
• 分類號: C23C4/10;C23C4/12
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 李劍;南霆

1.一種可抵抗化學活性還原等離子體的腐蝕或侵蝕的制品，該制品包含金屬或金屬合金基板，該基板表面上具有噴涂的含釔陶瓷材料，其中該陶瓷涂層的孔隙率小于1.5％。

2.如權利要求1所述的制品，其中該孔隙率介于小于1.5％至約0.1％的范圍。

3.如權利要求2所述的制品，其中該孔隙率介于約1％至約0.1％的范圍。

4.如權利要求1所述的制品，其中該噴涂的含釔陶瓷材料的暴露表面的表面粗糙度小于約3μm?Ra。

5.如權利要求3所述的制品，其中該表面粗糙度介于小于約1.5μm?Ra至約0.6μm?Ra的范圍。

6.如權利要求1所述的制品，其中該噴涂的含釔陶瓷材料的擊穿電壓為至少高于650V/mil。

7.如權利要求6所述的制品，其中該擊穿電壓介于約650V/mil至大于900V/mil的范圍。

8.如權利要求1或4或6所述的制品，其中該噴涂的含釔陶瓷材料的厚度介于約5μm至約400μm的范圍。

9.如權利要求8所述的制品，其中該材料厚度介于約25μm至約300μm的范圍。

10.如權利要求8所述的制品，其中該含釔陶瓷材料選自于由Y₂O₃、Y₂O₃-ZrO₂固溶體、YAG、YF₃及其組合物所組成的組。

11.如權利要求2所述的制品，其中該經噴涂的含釔陶瓷材料通過持續時間為至少8小時的氯化氫氣泡試驗。

12.如權利要求3所述的制品，其中該經噴涂的含釔陶瓷材料通過持續時間為至少10小時的氯化氫氣泡試驗。

13.一種制造可抵抗化學活性還原等離子體的腐蝕或侵蝕的制品的方法，包括：利用含釔陶瓷材料來等離子體噴涂金屬或金屬合金基板以制造該制品，其中該含釔陶瓷材料為粉末形式，該粉末的平均等效粒徑范圍介于約22μm至約0.1μm。

14.如權利要求13所述的制造制品的方法，其中該粉末的平均等效粒徑范圍介于約15μm至約5μm。

15.如權利要求13或14所述的制造制品的方法，其中該含釔材料選自由Y₂O₃、Y₂O₃-ZrO₂固溶體、YAG、YF₃及其組合物所組成的組。

16.如權利要求13所述的方法，其中該含釔材料選自由Y₂O₃-ZrO₂固溶體、YAG、YF₃及其組合物所組成的組。

17.一種制造可抵抗化學活性還原等離子體的腐蝕或侵蝕的制品的方法，包括：利用含釔陶瓷材料來等離子體噴涂金屬或金屬合金基板以制造該制品，其中該含釔陶瓷材料選自由Y₂O₃-ZrO₂固溶體、YF₃及其組合物所組成的組。