[發明專利]在存儲器裝置的編程期間的電荷損失補償

有效

• 申請號: 200980106435.1
• 申請日: 2009-02-17
• 公開（公告）號: CN101960533A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 維奧蘭特·莫斯基亞諾;米凱萊·因卡爾納蒂;喬瓦尼·桑廷;達尼洛·奧蘭迪
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/10;G11C16/12
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種用于存儲器裝置中的快速電荷損失補償的方法，所述方法包含：

以編程脈沖對耦合到選定字線的選定存儲器單元進行偏置，直到所述選定存儲器單元通過第一編程驗證操作為止；

響應于所述選定存儲器單元未通過所述第一編程驗證操作之后的第二編程驗證操作，以額外編程脈沖對所述選定存儲器單元進行偏置，同時對耦合到所述選定存儲器單元的位線進行偏置以減慢所述選定存儲器單元的編程；以及

在不評估響應于最終編程脈沖的第三編程驗證操作的情況下以禁止電壓對所述位線進行偏置。

2.根據權利要求1所述的方法，且其進一步包括在所述第一編程驗證操作與所述第二編程驗證操作之間禁止所述選定存儲器單元的編程，同時以額外編程脈沖對耦合到所述選定字線的其它存儲器單元進行偏置。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在不評估的情況下以所述禁止電壓對所述位線進行偏置包含禁止所述選定存儲器單元的編程直到執行后續擦除操作為止。

4.根據權利要求1所述的方法，其中以編程脈沖對所述選定存儲器單元進行偏置包含以多個遞增脈沖對所述選定字線進行偏置，以使得每一后續脈沖在前一脈沖上增大ΔV_pgm的階躍電壓。

5.根據權利要求4所述的方法，其中以ΔV_pgm對所述位線進行偏置以減慢所述選定存儲器單元的編程。

6.根據權利要求1所述的方法，且其進一步包含：

以第一編程速率編程耦合到選定字線的選定存儲器單元；

響應于所述選定存儲器單元在所述編程期間通過第一編程驗證操作，禁止所述選定存儲器單元的編程；

繼續編程耦合到所述選定字線的額外存儲器單元，同時禁止所述選定存儲器單元；

在所述第一編程驗證操作之后對所述選定存儲器單元執行第二編程驗證操作；以及

響應于未通過所述第二編程驗證操作，以第二編程速率編程所述選定存儲器單元。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第二編程速率比所述第一編程速率慢。

8.根據權利要求6所述的方法，其中響應于對耦合到所述選定存儲器單元的位線的偏置而確定所述第二編程速率。

9.根據權利要求6所述的方法，其中每一編程驗證操作包含驗證脈沖。

10.根據權利要求6所述的方法，且其進一步包括執行最終編程驗證操作，其中不評估所述最終編程驗證操作。

11.根據權利要求6所述的方法，且其進一步包含以0V對耦合到所述選定存儲器單元的位線進行偏置，同時以多個編程脈沖對所述選定字線進行偏置。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述多個編程脈沖編程具有多個位的所述選定存儲器單元。

13.根據權利要求6所述的方法，其中禁止所述選定存儲器單元的編程包含以V_CC對所述位線進行偏置直到執行后續擦除操作為止。

14.一種非易失性存儲器裝置，其包含：

存儲器陣列，其包含耦合到字線和位線的多個存儲器單元；以及

存儲器控制器，其耦合到所述存儲器陣列用于控制所述存儲器陣列的操作，其中所述存儲器控制器經配置以執行選定字線上的選定存儲器單元的編程操作，所述編程操作包括：以遞增編程脈沖對所述選定字線的偏置，直到所述選定存儲器單元通過第一編程驗證操作為止；以至少一個編程脈沖對所述選定字線的偏置，同時禁止編程所述選定存儲器單元；在所述選定存儲器單元未通過第二編程驗證操作時，以最終編程脈沖對所述選定存儲器單元的偏置，同時以大于接地電位的電壓對耦合到所述選定存儲器單元的位線進行偏置；以及在不評估所述最終編程脈沖之后的第三編程驗證操作的情況下以禁止電壓對所述位線的偏置。

15.根據權利要求14所述的存儲器裝置，其中所述裝置為“與非”快閃存儲器裝置。

16.根據權利要求14所述的存儲器裝置，其中所述多個存儲器單元被配置為多電平單元、單電平單元，或多電平單元與單電平單元的組合。