[發明專利]可固化聚合物混合物

無效

• 申請號: 200980105784.1
• 申請日: 2009-01-30
• 公開（公告）號: CN101945880A
• 公開（公告）日: 2011-01-12
• 發明（設計）人: C·布里恩;M·博爾滕施拉格爾
• 申請（專利權）人: 瓦克化學股份公司
• 主分類號: C07F7/00
• 分類號: C07F7/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東

本發明涉及可熱固化聚合物共混物，用于聚合物共混物的固化的方法，由加熱聚合物共混物產生的交聯產物，和由聚合物共混物生產涂料、硅烷交聯模制品、以及粘合劑和密封劑的方法。

帶有可水解甲硅烷基并通過由(大氣)濕氣的進入形成的硅醇基團的縮合而固化的硅氧烷和有機聚合物是現有技術。所述聚合物的缺點在于固化速率取決于水向要固化的聚合物中的可水解甲硅烷基中的擴散。厚層的固化特別經常表現為非常慢的過程，這對于大量的應用而言，使得所述聚合物的應用更加困難或甚至是不可能。因此需要尋求甚至在厚層中能夠迅速固化的硅氧烷和有機聚合物，優選沒有(大氣)濕氣存在下。

在(大氣)濕氣不存在下，例如通過氫化硅烷化的方法完成厚聚合物層的快速固化，其中SiH官能硅氧烷與乙烯基官能硅氧烷或有機聚合物在貴金屬催化劑存在下反應。通過氫化硅烷化固化的聚合物的缺點在于其固化需要的貴金屬催化劑是非常昂貴的原材料。由于催化劑通常保留在產品中，不能回收，因而貴金屬催化劑的高成本是一個特別的問題。

因此，無貴金屬交聯機理是有利的，其甚至可以在(大氣)濕氣不存在下操作。

US?7,135,418B1描述了通過烷氧基硅醇的原子層沉積(ALD)或快速氣相沉積(RVD)在半導體基材上沉積SiO₂層。在第一加工步驟中，用金屬前體(例如，三甲基鋁)涂布半導體基材。而后，為了SiO₂的沉積，使涂布的表面在短暫的時間內重復地暴露于具有叔戊氧基甲硅烷基的釋放二氧化硅的前體的氣氛中。在高溫下，例如由三(叔戊氧基)硅醇經過消除包括水和烯烴的產物形成二氧化硅。

Don?Tilley等人在Adv.Mater，2001，13，331-335中教導了通過具有三(叔丁氧基)甲硅烷基的分子前體的熱解制備混合氧化物。所述混合氧化物在90℃-150℃間無需引入(大氣)濕氣，通過消除異丁烯和水形成。

利用烷氧基硅醇或烷氧基甲硅烷基的熱分解制備交聯硅氧烷和有機聚合物在所述文獻中沒有描述。

WO?2005/035630?A1描述了叔丁氧基官能硅樹脂。

Y.Abe等人(Bull.Chem.Soc.Japan?1969，42，1118-1123)描述了叔丁氧基硅(氧)烷及其縮合產物，其通過非催化熱處理轉化成高分子量化合物。

J.Beckmann等人在Appl.Organomet.Chem.2003，17，52-62描述了叔丁氧基硅醇的合成和非催化熱縮合。

M.Sakata等人在J.Photopolym.Sci.Techn.1992，5，181-190中教導了通過二(乙酰氧基)-二(叔丁氧基)硅烷的縮合制備叔丁氧基官能硅氧烷。在光酸存在下通過SiO₂的電子轟擊固化聚合物。

本發明提供可交聯聚合物共混物(A)，其包括：

至少一種化合物(V)，其具有至少一個通式[1]的烷氧基甲硅烷基，

≡Si-O-C(R¹)(R²)(R³)?????[1]

以及選自酸、堿、Lewis酸和Lewis堿的催化劑(K)，

其中

R¹、R²、和R³是氫、鹵素、通過碳原子連接的基，其中基R¹、R²、和R³可以彼此連接，或是通過碳原子連接并連接兩個通式[1]的烷氧基甲硅烷基的二價基，條件是不超過兩個基R¹、R²、和R³是氫，并排除通式≡Si-O-CH₂-R⁴的烷氧基甲硅烷基，和

R⁴是1-12個碳原子的非支鏈脂族烴基，

條件是排除交聯時形成SiO₂的聚合物共混物(A)。

在本發明的一個優選實施方案中，通式[1]的烷氧基甲硅烷基采用通式[2]，

＝Si(R⁵)-O-C(R¹)(R²)(R³)????[2]

其中

R⁵是氫，鹵素，具有1-12個碳原子的非取代或取代脂族或芳族烴基，OH基團、-OR⁶基團、-OC(O)R⁶基團或金屬氧基M-O-，