[發(fā)明專利]絕緣介質(zhì)及其在高電壓設(shè)備中的應(yīng)用

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980105623.2
• 申請日: 2009-02-18
• 公開（公告）號: CN101952357A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伊恩·科頓;王寧燕;薩拉·福爾曼;杰弗里·羅伯遜
• 申請（專利權(quán)）人: 曼徹斯特大學(xué)
• 主分類號: C08K3/24
• 分類號: C08K3/24
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 陳平

1.一種用于在高電壓設(shè)備模塊中使用的絕緣組合物，所述絕緣組合物包含軟介電鑄塑用配混料，其特征在于所述軟介電鑄塑用配混料包含分散于其中的鐵電性粒子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣組合物，其中所述絕緣組合物包含1體積％至20體積％的鐵電性粒子。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的絕緣組合物，其中所述軟介電鑄塑用配混料為硅氧烷凝膠。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的絕緣組合物，其中所述絕緣組合物基本上由所述軟介電鑄塑用配混料和鐵電性粒子組成。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的絕緣組合物，其中所述鐵電性粒子具有0.5至20μm的重均粒徑。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的絕緣組合物，其中所述鐵電性粒子包含鈦酸鋇或基本上由鈦酸鋇組成。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的絕緣組合物，所述絕緣組合物基本上沒有氣泡。

8.一種包含在封裝外殼中的高電壓設(shè)備的高電壓設(shè)備模塊，其中所述設(shè)備覆蓋有根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的絕緣組合物。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高電壓設(shè)備模塊，其中所述封裝外殼填充有所述絕緣組合物。

10.一種用于制備根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的絕緣組合物的方法，所述方法包括下列步驟：

a)提供前體組分，所述前體組分中的至少一種是液體形式，所述前體組分被共混以形成軟介電鑄塑用配混料，

b)將鐵電性粒子在將所述前體組分共混之前分散到所述前體組分的一種或多種中，和/或在所述前體組分共混之后、在所述軟介電鑄塑用配混料凝膠化完成之前分散到所述軟介電鑄塑用配混料中，以形成所述絕緣組合物，

從而所述鐵電性粒子均勻地分散在整個得到的絕緣組合物中。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，所述方法還包括下列步驟：在具有分散于其中的鐵電性粒子的軟介電鑄塑用配混料凝膠化完成之前，將所述軟介電鑄塑用配混料脫氣。

12.一種用于在封裝外殼中的高電壓設(shè)備周圍提供絕緣組合物的方法，所述方法包括：

a)提供封裝在具有進(jìn)入孔的封裝外殼中的高電壓設(shè)備，

b)提供前體組分，所述前體組分中的至少一種處于液體形式，所述前體組分被共混以形成軟鑄塑用配混料，

c)將鐵電性粒子在將所述前體組分共混之前分散到所述前體組分的一種或多種中，和/或在所述前體組分共混之后、在所述軟介電鑄塑用配混料凝膠化完成之前分散到所述軟介電鑄塑用配混料中，

d)在所述具有分散于其中的鐵電性粒子的填充的軟鑄塑用配混料凝膠化完成之前，將所述具有分散于其中的鐵電性粒子的軟介電鑄塑用配混料通過所述進(jìn)入口插入到所述封裝外殼中，以形成所述絕緣組合物。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括下列步驟：在具有分散于其中的鐵電性粒子的軟介電鑄塑用配混料凝膠化完成之前，將所述軟介電鑄塑用配混料脫氣。